|
Λεπτομέρειες:
|
| Όνομα Προϊόντος: | mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης | εφαρμογή: | μετάβαση φορτίων ή στις εφαρμογές PWM. |
|---|---|---|---|
| Αριθμό μοντέλου: | HXY4812 | Υπόθεση: | Ταινία/δίσκος/εξέλικτρο |
| Υψηλό φως: | mosfet καναλιών ν κρυσταλλολυχνία,υψηλής τάσης mosfet διακόπτης |
||
Διπλό N-Channel HXY4812 0V MOSFET
Γενική περιγραφή
Το HXY4812 χρησιμοποιεί την προηγμένη τεχνολογία τάφρων
παρέχετε το άριστο RDS (ΕΠΆΝΩ) και τη χαμηλή δαπάνη πυλών. Αυτό
η συσκευή είναι κατάλληλη για τη χρήση ως διακόπτη φορτίων ή σε PWM
εφαρμογές.
Περίληψη προϊόντων
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις Τ =25°C εκτός αν αναφέρεται διαφορετικά
Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά (Τ =25°C εκτός αν αναφέρεται διαφορετικά)
Α. Η αξία του ΡθJA μετριέται με τη συσκευή που τοποθετείται στον πίνακα 1in2 FR-4 με 2oz. Χαλκός, σε ένα ακίνητο εναέριο περιβάλλον με το ΤΑ =25°C.
η αξία σε οποιαδήποτε δεδομένη εφαρμογή εξαρτάται από το συγκεκριμένο σχέδιο πινάκων του χρήστη.
Β. Ο διασκεδασμός ΠΔ δύναμης είναι βασισμένος στο ΤJ(MAX) =150°C, που χρησιμοποιεί την σύνδεση--περιβαλλοντική θερμική αντίσταση ≤ 10s.
Γ. η επαναλαμβανόμενη εκτίμηση, πλάτος σφυγμού που περιορίζεται από τις εκτιμήσεις θερμοκρασίας ΤJ(MAX) =150°C. συνδέσεων είναι βασισμένη στους χαμηλής συχνότητας και κύκλους καθήκοντος που κρατούν
Δ. Το ΡθJA είναι το ποσό της θερμικής σύνθετης αντίστασης από τη σύνδεση για να οδηγήσει το ΡθJL και να οδηγήσει σε περιβαλλοντικό.
Ε. Τα στατικά χαρακτηριστικά στα σχήματα 1 έως 6 είναι αποκτηθείσα χρησιμοποίηση <300>
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: David
