|
Λεπτομέρειες:
|
| Όνομα Προϊόντος: | mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης | Χαρακτηριστικά: | Η επιφάνεια τοποθετεί τη συσκευασία |
|---|---|---|---|
| Αριθμό μοντέλου: | 60P03D -252 | Τάση αγωγός-πηγής: | -30 Β |
| Τάση πύλη-πηγής: | ±20 Β | Εφαρμογές: | DC/DC μετατροπέας για την επίδειξη LCD |
| Υψηλό φως: | mosfet καναλιών ν κρυσταλλολυχνία,κρυσταλλολυχνία υψηλής τάσης |
||
Mosfet τρόπου αυξήσεων καναλιών Π κρυσταλλολυχνία δύναμης 60P03D -252 30V
Mosfet ΠΕΡΙΓΡΑΦΉ κρυσταλλολυχνιών δύναμης
Η προηγμένη τεχνολογία τάφρων AP60P03D χρήσεις
και σχέδιο για να παρέχει στο άριστο Ρ DS (ΕΠΆΝΩ) χαμηλό
δαπάνη πυλών. Το Thisdevice είναι καλοταιριασμένο
για τις υψηλής τάσης εφαρμογές φορτίων.
Mosfet ΓΕΝΙΚΆ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΆ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ κρυσταλλολυχνιών δύναμης
Β DS =-30V, Ι Δ =-60A
Σχέδιο κυττάρων υψηλής πυκνότητας Ρ DS <15m>
(ΕΠΆΝΩ) Ρ DS <20m>
(ΕΠΆΝΩ) για υπερβολικά χαμηλό Rdson
Πλήρως χαρακτηρισμένα τάση και ρεύμα χιονοστιβάδων
Καλές σταθερότητα και ομοιομορφία με το υψηλό Ε ΌΠΩΣ
Άριστη συσκευασία για τον καλό διασκεδασμό θερμότητας
Mosfet εφαρμογή κρυσταλλολυχνιών δύναμης
Υψηλός δευτερεύων διακόπτης για τον πλήρη μετατροπέα γεφυρών
DC/DC μετατροπέας για την επίδειξη LCD
Συσκευασία που χαρακτηρίζει και που διατάζει τις πληροφορίες
ΑΠΟΛΥΤΕΣ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ (TA=25℃unless που σημειώνεται ειδάλλως)
ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ (TA=25℃unless που σημειώνεται ειδάλλως)
ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ:
1. Επαναλαμβανόμενη εκτίμηση: Πλάτος σφυγμού που περιορίζεται από τη μέγιστη θερμοκρασία συνδέσεων.
2. Επιφάνεια που τοποθετείται στον πίνακα 1in 2 FR4, τ ≤ 10 SEC.
3. Δοκιμή σφυγμού: Πλάτος σφυγμού ≤ 300μs, κύκλος καθήκοντος ≤ 2%. 4. Εγγυημένος από το σχέδιο, μη υποκείμενο στη δοκιμή παραγωγής.
ΤΥΠΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΑΙ ΘΕΡΜΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
Dfn5x6-8 πληροφορίες συσκευασίας
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: David
