Πιστοποίηση
Κίνα Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Πιστοποιήσεις
Κίνα Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Πιστοποιήσεις
Αναθεωρήσεις πελατών
συνεργασία με τη Hua Xuan Yang οφειλόμαστε κατά ένα μεγάλο μέρος στον επαγγελματισμό τους, η έντονη απάντησή τους στην προσαρμογή των προϊόντων που χρειαζόμαστε, η τακτοποίηση όλων των αναγκών και, προ πάντων, τους μας παροχή ποιοτικών υπηρεσιών.

—— -- Jason από τον Καναδά

Στο πλαίσιο της σύστασης του φίλου μου, ξέρουμε για τη Hua Xuan Yang, έναν ανώτερο εμπειρογνώμονα στον ημιαγωγό και τη βιομηχανία ηλεκτρονικών συστατικών, η οποία έχει επιτρέψει σε μας για να μειώσει τον πολύτιμο χρόνο μας και να μην ειναι απαραίτητο να αποτολμήσει τη δοκιμή άλλα εργοστάσια.

—— -- Виктор από τη Ρωσία

Είμαι Online Chat Now

N-CHANNEL 5N60 Κ-TCQ 5A 600V MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ

N-CHANNEL 5N60 Κ-TCQ 5A 600V MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ
N-CHANNEL 5N60 Κ-TCQ 5A 600V MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ N-CHANNEL 5N60 Κ-TCQ 5A 600V MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ

Μεγάλες Εικόνας :  N-CHANNEL 5N60 Κ-TCQ 5A 600V MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Shenzhen Κίνας
Μάρκα: Hua Xuan Yang
Πιστοποίηση: RoHS、SGS
Αριθμό μοντέλου: 5N60
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: 1000-2000 PC
Τιμή: Negotiated
Συσκευασία λεπτομέρειες: Εγκιβωτισμένος
Χρόνος παράδοσης: 1 - 2 εβδομάδες
Όροι πληρωμής: L/C T/T Western Union
Δυνατότητα προσφοράς: 18,000,000PCS/ανά ημέρα

N-CHANNEL 5N60 Κ-TCQ 5A 600V MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ

περιγραφή
Όνομα Προϊόντος: mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης εφαρμογή: Διαχείριση δύναμης
Χαρακτηριστικό γνώρισμα: Άριστο RDS (επάνω) Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνία: MOSFET δύναμης τρόπου αυξήσεων
Αριθμό μοντέλου: 5N60
Υψηλό φως:

mosfet καναλιών ν κρυσταλλολυχνία

,

κρυσταλλολυχνία υψηλής τάσης

N-CHANNEL 5N60 Κ-TCQ 5A 600V MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ

 

ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ

Το UTC 5n60k-TCQ είναι MOSFET δύναμης υψηλής τάσης και έχει ως σκοπό να έχει τα καλύτερα χαρακτηριστικά, όπως ο γρήγορος χρόνος διακοπής, χαμηλή δαπάνη πυλών, χαμηλή -κρατική αντίσταση και να έχει χαρακτηριστικά τα υψηλά τραχιά χιονοστιβάδων. Αυτό το MOSFET δύναμης είναι συνήθως χρησιμοποιημένες εφαρμογές με υψηλή ταχύτητα αλλαγής στις παροχές ηλεκτρικού ρεύματος, τους ελέγχους μηχανών PWM, τους υψηλούς αποδοτικούς συνεχές ρεύμα στο συνεχές ρεύμα μετατροπείς και τα κυκλώματα γεφυρών.

 

 

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ

ΡDS(ΕΠΆΝΩ)< 2=""> GS =10V, ΙΔ = 2.5A

* Γρήγορη ικανότητα μετατροπής

* Ενέργεια χιονοστιβάδων που διευκρινίζεται

* Βελτιωμένη ικανότητα dv/dt, υψηλή τραχύτητα

 

N-CHANNEL 5N60 Κ-TCQ 5A 600V MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ 0

 

Εφαρμογή

Μετατροπή φορτίων

Σκληρά μεταστρεφόμενη και υψηλής συχνότητας παροχή ηλεκτρικού ρεύματος κυκλωμάτων Uninterruptible

 

N-CHANNEL 5N60 Κ-TCQ 5A 600V MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ 1

ΔΙΑΤΑΓΗ ΤΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ

Διαταγή του αριθμού Συσκευασία Ανάθεση καρφιτσών Συσκευασία
Αμόλυβδος Αλόγονο ελεύθερο   1 2 3  
5n60kl-ta3-τ 5n60kg-ta3-τ -220 Γ Δ S Σωλήνας
5n60kl-tf1-τ 5n60kg-tf1-τ -220F1 Γ Δ S Σωλήνας
5n60kl-tn3-ρ 5n60kg-tn3-ρ -252 Γ Δ S Εξέλικτρο ταινιών

 

 

Σημείωση: Ανάθεση καρφιτσών: Γ: Πύλη Δ: Αγωγός S: ΠηγήN-CHANNEL 5N60 Κ-TCQ 5A 600V MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ 2

N-CHANNEL 5N60 Κ-TCQ 5A 600V MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ 3

 

ΑΠΟΛΥΤΕΣ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ (ΤΓ = 25°С, εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)

 

 

ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ ΣΥΜΒΟΛΟ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ ΜΟΝΑΔΑ
Τάση αγωγός-πηγής VDSS 600 Β
Τάση πύλη-πηγής VGSS ±30 Β
Ρεύμα αγωγών Συνεχής ΙΔ 5.0 Α
Παλόμενος (σημείωση 2) IDM 20 Α
Ρεύμα χιονοστιβάδων (σημείωση 2) IAR 4.0 Α
Ενέργεια χιονοστιβάδων Ενιαίος παλόμενος (σημείωση 3) EAS 80 MJ
Μέγιστη αποκατάσταση dv/dt διόδων (σημείωση 4) dv/dt 3.25 V/ns

 

Διασκεδασμός δύναμης

-220

 

ΠΔ

106 W
-220F1 36 W
-252 50 W
Θερμοκρασία συνδέσεων ΤJ +150 °C
Θερμοκρασία αποθήκευσης TSTG -55 ~ +150 °C

Σημειώσεις: 1. Οι απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις είναι εκείνες οι τιμές πέρα από τις οποίες η συσκευή θα μπορούσε να βλαφθεί μόνιμα.

Οι απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις είναι εκτιμήσεις πίεσης μόνο και η λειτουργική λειτουργία συσκευών δεν είναι υπονοούμενη.

4. Επαναλαμβανόμενη εκτίμηση: Πλάτος σφυγμού που περιορίζεται από τη μέγιστη θερμοκρασία συνδέσεων.

5. Λ = 84mH, ΙΩΣ =1.4A, ΒDD = 50V, ΡΓ = 25 Ω που αρχίζουν το ΤJ = 25°C

6. ΙSD ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, ΒDD ≤BVDSS, αρχικό ΤJ = 25°C

ΘΕΡΜΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ

ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ ΣΥΜΒΟΛΟ ΕΚΤΙΜΗΣΗ ΜΟΝΑΔΑ
Σύνδεση σε περιβαλλοντικό -220f/to-220F1 θJA 62.5 °C/W
-252 110 °C/W

 

Σύνδεση στην περίπτωση

-220

 

θJC

1.18 °C/W
-220F1 3.47 °C/W
-252 2.5 °C/W

 

 

ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ (ΤJ = 25°С, εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)

 

ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ ΣΥΜΒΟΛΟ ΟΡΟΙ ΔΟΚΙΜΗΣ Λ. ΤΥΠΟΣ MAX ΜΟΝΑΔΑ
ΑΠΟ ΤΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
Τάση διακοπής αγωγός-πηγής BVDSS ΒGS=0V, ΙD=250μA 600     Β
Ρεύμα διαρροής αγωγός-πηγής IDSS ΒDS=600V, ΒGS=0V     1 μA
Ρεύμα διαρροής πύλη-πηγής Διαβιβάστε IGSS ΒGS=30V, ΒDS=0V     100 NA
  Αντιστροφή   ΒGS=-30V, ΒDS=0V     -100  
ΣΤΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
Τάση κατώτατων ορίων πυλών VGS (ΘΌΡΙΟ) ΒDS=VGS, ΙD=250μA 2.0   4.0 Β
Στατική -κρατική αντίσταση αγωγός-πηγής RDS (ΕΠΆΝΩ) ΒGS=10V, ΙD=2.5A     2.5
ΔΥΝΑΜΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
Ικανότητα εισαγωγής CISS

 

ΒGS=0V, Β DS=25V, F=1.0MHZ

  480   pF
Ικανότητα παραγωγής COSS     60   pF
Αντίστροφη ικανότητα μεταφοράς CRSS     6.5   pF
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΜΕΤΑΤΡΟΠΗΣ
Συνολική δαπάνη πυλών (σημείωση 1) QΓ ΒDS=50V, ΙD=1.3A, ΒGS=10V ΙG=100μA (σημείωση 1, 2)   46   nC
Πύλη στη δαπάνη πηγής QGS     4.6   nC
Πύλη για να στραγγίξει τη δαπάνη QGD     6.0   nC
Διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης (σημείωση 1) TD (ΕΠΆΝΩ)

 

ΒDD=30V, ΒGS=10V, ΙD=0.5A, ΡG=25Ω (σημείωση 1, 2)

  42   NS
Χρόνος ανόδου τΡ     44   NS
Χρόνος καθυστέρησης διακοπών TD (ΜΑΚΡΙΆ)     120   NS
Πτώση-χρόνος τΦ     38   NS
ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ ΚΑΙ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΔΙΟΔΩΝ ΑΓΩΓΩΝ ΠΗΓΗΣ
Μέγιστο συνεχές ρεύμα σώμα-διόδων ΙS       5 Α
Η μέγιστη σώμα-δίοδος παλλόταν το ρεύμα ΙΣΜΌΣ       20 Α
Μπροστινή τάση διόδων αγωγός-πηγής (σημείωση 1) VSD ΙS=5.0A, ΒGS=0V     1.4 Β
Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης διόδων σώματος (σημείωση 1) trr

ΙS=5.0A, ΒGS=0V,

DiF/dt=100A/μs

  390   NS
Αντίστροφη δαπάνη αποκατάστασης διόδων σώματος Qrr     1.6   μC
 

Σημειώσεις: 1. Δοκιμή σφυγμού: Πλάτος σφυγμού ≤ 300µs, κύκλος καθήκοντος ≤ 2%.

  • Ουσιαστικά ανεξάρτητος της λειτουργούσας θερμοκρασίας.

 

N-CHANNEL 5N60 Κ-TCQ 5A 600V MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ 4N-CHANNEL 5N60 Κ-TCQ 5A 600V MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ 5

 

 

Στοιχεία επικοινωνίας
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: David

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Αφήστε ένα μήνυμα

We bellen je snel terug!