Αρχική Σελίδα Προϊόντα δίοδος διορθωτών υψηλής τάσης

1N5391 ΜΕΣΩ της επιφάνειας διόδων διορθωτών υψηλής συχνότητας 1N5399 τοποθετήστε το Ι (AV) 1.5Amp

Name: 1N5391 ΜΕΣΩ της επιφάνειας διόδων διορθωτών υψηλής συχνότητας 1N5399 τοποθετήστε το Ι (AV) 1.5Amp
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 1N5391 ΜΕΣΩ 1N5399

Όλα τα Προϊόντα

mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης
(118)

Κρυσταλλολυχνίες δύναμης ακρών
(30)

Κρυσταλλολυχνία δύναμης πυριτίου
(19)

Διπλή δίοδος μετατροπής
(15)

Κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων MOS
(29)

Δύο καναλιών Mosfet
(10)

γρήγορη δίοδος διορθωτών αποκατάστασης
(6)

δίοδος δύναμης zener
(6)

schottky διορθωτής γεφυρών
(10)

δίοδος διορθωτών υψηλής τάσης
(15)

Τρίοδος ημιαγωγών
(9)

Ολοκληρωμένο κύκλωμα σταθεροποιητών τάσης
(14)

Πιστοποίηση

Κίνα Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Πιστοποιήσεις

Αναθεωρήσεις πελατών

συνεργασία με τη Hua Xuan Yang οφειλόμαστε κατά ένα μεγάλο μέρος στον επαγγελματισμό τους, η έντονη απάντησή τους στην προσαρμογή των προϊόντων που χρειαζόμαστε, η τακτοποίηση όλων των αναγκών και, προ πάντων, τους μας παροχή ποιοτικών υπηρεσιών.

—— -- Jason από τον Καναδά

Στο πλαίσιο της σύστασης του φίλου μου, ξέρουμε για τη Hua Xuan Yang, έναν ανώτερο εμπειρογνώμονα στον ημιαγωγό και τη βιομηχανία ηλεκτρονικών συστατικών, η οποία έχει επιτρέψει σε μας για να μειώσει τον πολύτιμο χρόνο μας και να μην ειναι απαραίτητο να αποτολμήσει τη δοκιμή άλλα εργοστάσια.

—— -- Виктор από τη Ρωσία

Είμαι Online Chat Now

1N5391 ΜΕΣΩ της επιφάνειας διόδων διορθωτών υψηλής συχνότητας 1N5399 τοποθετήστε το Ι (AV) 1.5Amp

Μεγάλες Εικόνας : 1N5391 ΜΕΣΩ της επιφάνειας διόδων διορθωτών υψηλής συχνότητας 1N5399 τοποθετήστε το Ι (AV) 1.5Amp

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής:	Shenzhen Κίνας
Μάρκα:	Hua Xuan Yang
Πιστοποίηση:	RoHS、SGS
Αριθμό μοντέλου:	1N5391 ΜΕΣΩ 1N5399

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min:	1000-2000 PC
Τιμή:	Negotiated
Συσκευασία λεπτομέρειες:	Εγκιβωτισμένος
Χρόνος παράδοσης:	1 - 2 εβδομάδες
Όροι πληρωμής:	L/C T/T Western Union
Δυνατότητα προσφοράς:	18,000,000PCS/ανά ημέρα

Επικοινωνία

1N5391 ΜΕΣΩ της επιφάνειας διόδων διορθωτών υψηλής συχνότητας 1N5399 τοποθετήστε το Ι (AV) 1.5Amp

περιγραφή

Χαρακτηριστικά:	Υψηλή μπροστινή ικανότητα ρευμάτων κύματος	Ι (AV):	1.5Amp
IFSM:	50.0Amp	CJ:	15.0pF
Ταυτότητα προϊόντων:	1N5391 ΜΕΣΩ 1N5399	TJ:	150℃
Υψηλό φως:	Υψηλής τάσης δίοδος διορθωτών , δίοδος διορθωτών πυριτίου

1N5391 ΜΕΣΩ 1N5399 διαβιβάστε το ρεύμα - 1.5Ampere

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ

Η πλαστική συσκευασία φέρνει το εργαστήριο ασφαλιστών
Ταξινόμηση 94V-0 ευφλέκτου
Η κατασκευή χρησιμοποιεί κενός-ελεύθερο
φορμαρισμένη πλαστική τεχνική
Χαμηλή αντίστροφη διαρροή
Υψηλή μπροστινή ικανότητα ρευμάτων κύματος
Η υψηλής θερμοκρασίας συγκόλληση εγγυήθηκε: 250 δευτερόλεπτα C/10, 0,375» (9.5mm) οδηγούν το μήκος, 5 λίβρες. (2.3kg) ένταση

MECHANICALDATA

Περίπτωση: JEDEC -41 φορμαρισμένο πλαστικό σώμα

Τερματικά: Καλυμμένοι αξονικοί μόλυβδοι, solderable ανά mil-STD-750,

Method2026

Πολικότητα: Η ζώνη χρώματος δείχνει το τέλος καθόδων

Τοποθετώντας θέση: Οποιοιδήποτε

Βάρος: 0.014ounce, 0.40grams

ΜΕΓΑΛΟΥ ΜΕΓΈΘΟΥΣ MUMRATINGS ΚΑΙ ΗΛΕΚΤΡΙΚΆ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΆ

Σημείωση:

1. Μετρημένος σε 1MHz και την εφαρμοσμένη αντίστροφη τάση 4.0VD.C.

2. Θερμική αντίσταση από τη σύνδεση στο ambientat 0,375 (9.5mm) μήκος μολύβδου, P.C.B.mounted

RATINGSANDCHARACTERISTICCURVES1N4001THRU1N4007

ετικέτα:

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: David

Άλλα προϊόντα

Υψηλή μπροστινή ικανότητα ρευμάτων κύματος διόδων διορθωτών υψηλής τάσης πυριτίου γενικού σκοπού

Τύπος: Διορθωτής πυριτίου γενικού σκοπού
Ι (AV): 1.0AMP
IFSM: 30.0Amp
CJ: 15.0pF

M1 ΜΕΣΩ της αντίστροφης τάσης διόδων διορθωτών υψηλής τάσης M7 - 50 έως 1000 βολτ

Τύπος: Διορθωτής πυριτίου γενικού σκοπού
RθJA: 75.0℃/W
IFSM: 30.0Amp
CJ: 15.0pF

Η επιφάνεια τοποθετεί τη γενική αντίστροφη τάση διόδων διορθωτών υψηλής τάσης 50 έως 1000 βολτ

Τύπος: Δίοδος διορθωτών υψηλής τάσης
Υπόθεση: Φορμαρισμένο -214AC πλαστικό σώμα JEDEC πέρα από το παθητικοποιημένο τσιπ
Τερματικά: Ύλη συγκολλήσεως που καλύπτεται, solderable ανά mil-STD-750, μέθοδος 2026
Πολικότητα: Η ζώνη χρώματος δείχνει το τέλος καθόδων

Μπροστινή τρέχουσα δίοδος διορθωτών γεφυρών υψηλής τάσης/διορθωτών πυριτίου cOem

Τύπος: διορθωτής γεφυρών υψηλής τάσης
Υπόθεση: πλαστικό σώμα
Τερματικά: Ύλη συγκολλήσεως που καλύπτεται, solderable ανά mil-STD-750, μέθοδος 2026
Πολικότητα: Η ζώνη χρώματος δείχνει το τέλος καθόδων

Η πλαστική δίοδος διορθωτών υψηλής τάσης συσκευασίας για την επιφάνεια τοποθέτησε 10,0 αμπέρ

Τύπος: δίοδος διορθωτών υψηλής τάσης
Υπόθεση: Φορμαρισμένο -214AB πλαστικό σώμα JEDEC
Τερματικά: Ύλη συγκολλήσεως που καλύπτεται, solderable ανά mil-STD-750, μέθοδος 2026
Πολικότητα: Η ζώνη χρώματος δείχνει το τέλος καθόδων

1N5391 ΜΕΣΩ της επιφάνειας διόδων διορθωτών υψηλής συχνότητας 1N5399 τοποθετήστε το Ι (AV) 1.5Amp

mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης

Κρυσταλλολυχνίες δύναμης ακρών

Κρυσταλλολυχνία δύναμης πυριτίου

Διπλή δίοδος μετατροπής

Κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων MOS

Δύο καναλιών Mosfet

γρήγορη δίοδος διορθωτών αποκατάστασης

δίοδος δύναμης zener

schottky διορθωτής γεφυρών

δίοδος διορθωτών υψηλής τάσης

Τρίοδος ημιαγωγών

Ολοκληρωμένο κύκλωμα σταθεροποιητών τάσης

1N5391 ΜΕΣΩ της επιφάνειας διόδων διορθωτών υψηλής συχνότητας 1N5399 τοποθετήστε το Ι (AV) 1.5Amp

1N5391 ΜΕΣΩ της επιφάνειας διόδων διορθωτών υψηλής συχνότητας 1N5399 τοποθετήστε το Ι (AV) 1.5Amp

Υψηλής τάσης δίοδος διορθωτών

δίοδος διορθωτών πυριτίου

διορθωτής γεφυρών υψηλής τάσης,

δίοδος διορθωτών πυριτίου,

Υψηλής τάσης δίοδος διορθωτών

Υψηλή μπροστινή ικανότητα ρευμάτων κύματος διόδων διορθωτών υψηλής τάσης πυριτίου γενικού σκοπού

M1 ΜΕΣΩ της αντίστροφης τάσης διόδων διορθωτών υψηλής τάσης M7 - 50 έως 1000 βολτ

Η επιφάνεια τοποθετεί τη γενική αντίστροφη τάση διόδων διορθωτών υψηλής τάσης 50 έως 1000 βολτ

Μπροστινή τρέχουσα δίοδος διορθωτών γεφυρών υψηλής τάσης/διορθωτών πυριτίου cOem

Η πλαστική δίοδος διορθωτών υψηλής τάσης συσκευασίας για την επιφάνεια τοποθέτησε 10,0 αμπέρ

mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης

HXY4616 κρυσταλλολυχνία επιπέδων λογικής, συμπληρωματικό MOSFET κρυσταλλολυχνιών 30V υψηλής τάσης

HXY4616 Mosfet υψηλή τάση VDS 40V VGS ±20v κρυσταλλολυχνιών δύναμης ±20v VGS

Mosfet 20G04S 40V MOSFET τρόπου αυξήσεων καναλιών κρυσταλλολυχνιών δύναμης N+P