|
Λεπτομέρειες:
|
| Όνομα Προϊόντος: | mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης | Θερμοκρασία συνδέσεων: | 150℃ |
|---|---|---|---|
| VDS: | 30V | Αριθμό μοντέλου: | HXY4606 |
| Χαρακτηριστικά: | Η επιφάνεια τοποθετεί τη συσκευασία | Υπόθεση: | Ταινία/δίσκος/εξέλικτρο |
| Υψηλό φως: | υψηλής τάσης mosfet διακόπτης,κρυσταλλολυχνία υψηλής τάσης |
||
Συμπληρωματικό MOSFET HXY4616 30V
Περιγραφή
Το HXY4616 χρησιμοποιεί την προηγμένη τεχνολογία τάφρων στο provideexcellent RDS (ΕΠΆΝΩ) και τη χαμηλή δαπάνη πυλών. Αυτά τα συμπληρωματικά Ν και Π διοχετεύουν MOSFET το ιδανικό configurationis για τις χαμηλές εφαρμογές αναστροφέων τάσης εισαγωγής.
.
N-Channel ηλεκτρικά χαρακτηριστικά (ΤJ =25°C εκτός αν αναφέρεται διαφορετικά)
Α. Η αξία του ΡθJA μετριέται με τη συσκευή που τοποθετείται σε 1in Α =25°C. Η αξία σε οποιαδήποτε δεδομένη εφαρμογή εξαρτάται από το συγκεκριμένο σχέδιο πινάκων του χρήστη.
2 πίνακας FR-4 με 2oz. Χαλκός, σε ένα ακίνητο εναέριο περιβάλλον με το Τ
Β. Ο διασκεδασμός ΠΔ δύναμης είναι βασισμένος στο ΤJ(MAX) =150°C, που χρησιμοποιεί την σύνδεση--περιβαλλοντική θερμική αντίσταση ≤ 10s. Γ. η επαναλαμβανόμενη εκτίμηση, πλάτος σφυγμού που περιορίζεται από τις εκτιμήσεις θερμοκρασίας ΤJ(MAX) =150°C. συνδέσεων είναι βασισμένη στους χαμηλής συχνότητας και κύκλους καθήκοντος για να κρατήσει initialTJ=25°C.
Δ. Το ΡθJA είναι το ποσό της θερμικής σύνθετης αντίστασης από τη σύνδεση για να οδηγήσει το ΡθJL και να οδηγήσει σε περιβαλλοντικό.
Ε. Τα στατικά χαρακτηριστικά στα σχήματα 1 έως 6 είναι αποκτηθείσα χρησιμοποίηση <300>
Φ. Αυτές οι καμπύλες είναι βασισμένες στη σύνδεση--περιβαλλοντική θερμική σύνθετη αντίσταση που μετριέται με τη συσκευή που τοποθετείται στον πίνακα 1in2 FR-4 με 2oz. Χαλκός, που υποθέτει μια μέγιστη θερμοκρασία συνδέσεων του ΤJ(ΑΝΏΤΑΤΑ) =150°C. Η καμπύλη SOA παρέχει ένα ενιαίο ratin γ. σφυγμού.
N-Channel: ΤΥΠΙΚΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΚΑΙ ΘΕΡΜΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: David
