Αρχική Σελίδα Προϊόνταmosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης

υψηλής τάσης Mosfet Κ-mtq 10N60 διακόπτης/διπλός Mosfet 10A 600V διακόπτης

Πιστοποίηση
Κίνα Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Πιστοποιήσεις
Κίνα Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Πιστοποιήσεις
Αναθεωρήσεις πελατών
συνεργασία με τη Hua Xuan Yang οφειλόμαστε κατά ένα μεγάλο μέρος στον επαγγελματισμό τους, η έντονη απάντησή τους στην προσαρμογή των προϊόντων που χρειαζόμαστε, η τακτοποίηση όλων των αναγκών και, προ πάντων, τους μας παροχή ποιοτικών υπηρεσιών.

—— -- Jason από τον Καναδά

Στο πλαίσιο της σύστασης του φίλου μου, ξέρουμε για τη Hua Xuan Yang, έναν ανώτερο εμπειρογνώμονα στον ημιαγωγό και τη βιομηχανία ηλεκτρονικών συστατικών, η οποία έχει επιτρέψει σε μας για να μειώσει τον πολύτιμο χρόνο μας και να μην ειναι απαραίτητο να αποτολμήσει τη δοκιμή άλλα εργοστάσια.

—— -- Виктор από τη Ρωσία

Είμαι Online Chat Now

υψηλής τάσης Mosfet Κ-mtq 10N60 διακόπτης/διπλός Mosfet 10A 600V διακόπτης

υψηλής τάσης Mosfet Κ-mtq 10N60 διακόπτης/διπλός Mosfet 10A 600V διακόπτης
υψηλής τάσης Mosfet Κ-mtq 10N60 διακόπτης/διπλός Mosfet 10A 600V διακόπτης υψηλής τάσης Mosfet Κ-mtq 10N60 διακόπτης/διπλός Mosfet 10A 600V διακόπτης

Μεγάλες Εικόνας :  υψηλής τάσης Mosfet Κ-mtq 10N60 διακόπτης/διπλός Mosfet 10A 600V διακόπτης

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Shenzhen Κίνας
Μάρκα: Hua Xuan Yang
Πιστοποίηση: RoHS、SGS
Αριθμό μοντέλου: 10N60
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: 1000-2000 PC
Τιμή: Negotiated
Συσκευασία λεπτομέρειες: Εγκιβωτισμένος
Χρόνος παράδοσης: 1 - 2 εβδομάδες
Όροι πληρωμής: L/C T/T Western Union
Δυνατότητα προσφοράς: 18,000,000PCS/ανά ημέρα

υψηλής τάσης Mosfet Κ-mtq 10N60 διακόπτης/διπλός Mosfet 10A 600V διακόπτης

περιγραφή
Όνομα Προϊόντος: mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης εφαρμογή: Διαχείριση δύναμης
Χαρακτηριστικό γνώρισμα: Άριστο RDS (επάνω) Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνία: MOSFET δύναμης τρόπου αυξήσεων
Αριθμό μοντέλου: 10N60
Υψηλό φως:

mosfet καναλιών ν κρυσταλλολυχνία

,

κρυσταλλολυχνία υψηλής τάσης

MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ 600vn-ΚΑΝΑΛΙΏΝ 10N60 Κ-mtq 10A

 

ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ

Το UTC 10n60k-mtq είναι MOSFET δύναμης υψηλής τάσης με σκοπό να έχει τα καλύτερα χαρακτηριστικά, όπως ο γρήγορος χρόνος διακοπής, η χαμηλή δαπάνη πυλών, η χαμηλή -κρατική αντίσταση και τα υψηλά τραχιά χαρακτηριστικά χιονοστιβάδων. Αυτό το MOSFET δύναμης χρησιμοποιείται συνήθως στις εφαρμογές μετατροπής υψηλής ταχύτητας των παροχών ηλεκτρικού ρεύματος μετατροπής και των προσαρμοστών.

 

υψηλής τάσης Mosfet Κ-mtq 10N60 διακόπτης/διπλός Mosfet 10A 600V διακόπτης 0

 

 

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ

ΡDS(ΕΠΆΝΩ)< 1=""> GS = 10 Β, ΙΔ = 5,0 Α

* Γρήγορη ικανότητα μετατροπής

* Ενέργεια χιονοστιβάδων δοκιμασμένη

* Βελτιωμένη ικανότητα dv/dt, υψηλή τραχύτητα

 

 

 

 

υψηλής τάσης Mosfet Κ-mtq 10N60 διακόπτης/διπλός Mosfet 10A 600V διακόπτης 1

ΔΙΑΤΑΓΗ ΤΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ

Διαταγή του αριθμού Συσκευασία Ανάθεση καρφιτσών Συσκευασία
Αμόλυβδος Αλόγονο ελεύθερο   1 2 3  
10n60kl-tf3-τ 10n60kg-tf3-τ -220F Γ Δ S Σωλήνας
10n60kl-tf1-τ 10n60kg-tf1-τ -220F1 Γ Δ S Σωλήνας
10n60kl-tf2-τ 10n60kg-tf2-τ -220F2 Γ Δ S Σωλήνας

 

 

Σημείωση: Ανάθεση καρφιτσών: Γ: Πύλη Δ: Αγωγός S: Πηγή

 

υψηλής τάσης Mosfet Κ-mtq 10N60 διακόπτης/διπλός Mosfet 10A 600V διακόπτης 2

υψηλής τάσης Mosfet Κ-mtq 10N60 διακόπτης/διπλός Mosfet 10A 600V διακόπτης 3

 

ΑΠΟΛΥΤΕΣ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ (ΤΓ = 25°С, εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)

ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ ΣΥΜΒΟΛΟ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ ΜΟΝΑΔΑ
Τάση αγωγός-πηγής VDSS 600 Β
Τάση πύλη-πηγής VGSS ±30 Β
Συνεχές ρεύμα αγωγών ΙΔ 10 Α
Παλόμενο ρεύμα αγωγών (σημείωση 2) IDM 40 Α
Ρεύμα χιονοστιβάδων (σημείωση 2) IAR 8.0 Α
Ενέργεια χιονοστιβάδων Ενιαίος παλόμενος (σημείωση 3) EAS 365 MJ
Μέγιστη αποκατάσταση dv/dt διόδων (σημείωση 4) dv/dt 4.5 NS

 

Διασκεδασμός δύναμης

-220

 

ΠΔ

156 W
  -220F1   50 W
  -220F2   52 W
Θερμοκρασία συνδέσεων ΤJ +150 °C
Θερμοκρασία αποθήκευσης TSTG -55 ~ +150 °C

Σημειώσεις: 1. Οι απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις είναι εκείνες οι τιμές πέρα από τις οποίες η συσκευή θα μπορούσε να βλαφθεί μόνιμα.

Οι απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις είναι εκτιμήσεις πίεσης μόνο και η λειτουργική λειτουργία συσκευών δεν είναι υπονοούμενη.

4. Επαναλαμβανόμενη εκτίμηση: Πλάτος σφυγμού που περιορίζεται από τη μέγιστη θερμοκρασία συνδέσεων.

5. Λ = 84mH, ΙΩΣ =1.4A, ΒDD = 50V, ΡΓ = 25 Ω που αρχίζουν το ΤJ = 25°C

6. ΙSD ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, ΒDD ≤BVDSS, αρχικό ΤJ = 25°C

ΘΕΡΜΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ

ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ ΣΥΜΒΟΛΟ ΕΚΤΙΜΗΣΗ ΜΟΝΑΔΑ
Σύνδεση σε περιβαλλοντικό θJA 62.5 °C/W
Σύνδεση στην περίπτωση θJC 3.2 °C/W

 

 

ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ (ΤJ = 25°С, εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)

 

 

ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ ΣΥΜΒΟΛΟ ΟΡΟΙ ΔΟΚΙΜΗΣ Λ. ΤΥΠΟΣ MAX ΜΟΝΑΔΑ
ΑΠΟ ΤΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
Τάση διακοπής αγωγός-πηγής BVDSS ΒGS = 0V, ΙΔ = 250μA 600     Β
Ρεύμα διαρροής αγωγός-πηγής IDSS ΒDS = 600V, ΒGS = 0V     10 μA
Ρεύμα διαρροής πηγής πυλών Διαβιβάστε IGSS ΒGS = 30V, ΒDS = 0V     100 NA
  Αντιστροφή   ΒGS = -30V, ΒDS = 0V     -100 NA
ΣΤΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
Τάση κατώτατων ορίων πυλών VGS (ΘΌΡΙΟ) ΒDS = ΒGS, ΙΔ = 250ΜA 2.0   4.0 Β
Στατική -κρατική αντίσταση αγωγός-πηγής RDS (ΕΠΆΝΩ) ΒGS = 10V, ΙΔ = 5.0A     1.0
ΔΥΝΑΜΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
Ικανότητα εισαγωγής CISS ΒDS=25V, ΒGS=0V, f=1.0 MHZ   1120   pF
Ικανότητα παραγωγής COSS     120   pF
Αντίστροφη ικανότητα μεταφοράς CRSS     13   pF
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΜΕΤΑΤΡΟΠΗΣ
Συνολική δαπάνη πυλών (σημείωση 1) QΓ ΒDS=50V, ΙD=1.3A, ΙG=100μA ΒGS=10V (σημείωση 1,2)   28   nC
Δαπάνη πύλη-πηγής QGS     8   nC
Δαπάνη πύλη-αγωγών QGD     6   nC
Διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης (σημείωση 1) TD (ΕΠΆΝΩ)

 

ΒDD =30V, ΙΔ =0.5A,

ΡΓ =25Ω, ΒGS=10V (σημείωση 1,2)

  80   NS
Διεγερτικός χρόνος ανόδου τΡ     89   NS
Χρόνος καθυστέρησης διακοπών TD (ΜΑΚΡΙΆ)     125   NS
Χρόνος πτώσης διακοπών τΦ     64   NS
ΑΓΩΓΌΣ-ΠΗΓΗ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΔΙΟΔΩΝ ΚΑΙ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ
Η μέγιστη συνεχής δίοδος αγωγός-πηγής διαβιβάζει το ρεύμα ΙS       10 Α

Μέγιστη παλόμενη δίοδος αγωγός-πηγής

Μπροστινό ρεύμα

ΙΣΜΌΣ       40 Α
Μπροστινή τάση διόδων αγωγός-πηγής (σημείωση 1) VSD ΒGS = 0 Β, ΙS = 10 Α     1.4 Β


Ουσιαστικά ανεξάρτητος της λειτουργούσας θερμοκρασίας. Σημειώσεις: 1. Δοκιμή σφυγμού: Πλάτος σφυγμού ≤ 300µs, κύκλος καθήκοντος ≤ 2%.

 

υψηλής τάσης Mosfet Κ-mtq 10N60 διακόπτης/διπλός Mosfet 10A 600V διακόπτης 4υψηλής τάσης Mosfet Κ-mtq 10N60 διακόπτης/διπλός Mosfet 10A 600V διακόπτης 5

 

 

Στοιχεία επικοινωνίας
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: David

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Αφήστε ένα μήνυμα

We bellen je snel terug!