Αρχική Σελίδα Προϊόνταmosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης

AP12N10D κρυσταλλολυχνία διακοπτών δύναμης, αρχική κρυσταλλολυχνία δύναμης πυριτίου

Πιστοποίηση
Κίνα Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Πιστοποιήσεις
Κίνα Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Πιστοποιήσεις
Αναθεωρήσεις πελατών
συνεργασία με τη Hua Xuan Yang οφειλόμαστε κατά ένα μεγάλο μέρος στον επαγγελματισμό τους, η έντονη απάντησή τους στην προσαρμογή των προϊόντων που χρειαζόμαστε, η τακτοποίηση όλων των αναγκών και, προ πάντων, τους μας παροχή ποιοτικών υπηρεσιών.

—— -- Jason από τον Καναδά

Στο πλαίσιο της σύστασης του φίλου μου, ξέρουμε για τη Hua Xuan Yang, έναν ανώτερο εμπειρογνώμονα στον ημιαγωγό και τη βιομηχανία ηλεκτρονικών συστατικών, η οποία έχει επιτρέψει σε μας για να μειώσει τον πολύτιμο χρόνο μας και να μην ειναι απαραίτητο να αποτολμήσει τη δοκιμή άλλα εργοστάσια.

—— -- Виктор από τη Ρωσία

Είμαι Online Chat Now

AP12N10D κρυσταλλολυχνία διακοπτών δύναμης, αρχική κρυσταλλολυχνία δύναμης πυριτίου

AP12N10D κρυσταλλολυχνία διακοπτών δύναμης, αρχική κρυσταλλολυχνία δύναμης πυριτίου
AP12N10D κρυσταλλολυχνία διακοπτών δύναμης, αρχική κρυσταλλολυχνία δύναμης πυριτίου AP12N10D κρυσταλλολυχνία διακοπτών δύναμης, αρχική κρυσταλλολυχνία δύναμης πυριτίου AP12N10D κρυσταλλολυχνία διακοπτών δύναμης, αρχική κρυσταλλολυχνία δύναμης πυριτίου

Μεγάλες Εικόνας :  AP12N10D κρυσταλλολυχνία διακοπτών δύναμης, αρχική κρυσταλλολυχνία δύναμης πυριτίου

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Shenzhen Κίνας
Μάρκα: Hua Xuan Yang
Πιστοποίηση: RoHS、SGS
Αριθμό μοντέλου: AP12N10D
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: διαπραγμάτευση
Τιμή: Negotiated
Συσκευασία λεπτομέρειες: Εγκιβωτισμένος
Χρόνος παράδοσης: 1 - 2 εβδομάδες
Όροι πληρωμής: L/C T/T Western Union
Δυνατότητα προσφοράς: 18,000,000PCS/ανά ημέρα

AP12N10D κρυσταλλολυχνία διακοπτών δύναμης, αρχική κρυσταλλολυχνία δύναμης πυριτίου

περιγραφή
Όνομα Προϊόντος: κρυσταλλολυχνία διακοπτών δύναμης μοντέλο: AP12N10D
Πακέτο: -252 Χαρακτηρισμός: AP12N10D
Τάση VDSDrain-πηγής: 100V Rce τάση VGSGate-Sou: ±20A
Υψηλό φως:

mosfet καναλιών ν κρυσταλλολυχνία

,

κρυσταλλολυχνία υψηλής τάσης

AP12N10D κρυσταλλολυχνία διακοπτών δύναμης, αρχική κρυσταλλολυχνία δύναμης πυριτίου

 

Γενική περιγραφή:

 

Η προηγμένη τεχνολογία τάφρων AP12N10D χρήσεις
για να παρέχει το άριστο RDS (ΕΠΆΝΩ), τη χαμηλή δαπάνη πυλών και
λειτουργία με τις τάσεις πυλών τόσο χαμηλές όσο 4.5V. Αυτό
η συσκευή είναι κατάλληλη για τη χρήση ως α
Προστασία μπαταριών ή σε άλλη εφαρμογή μετατροπής.

 

Γενικά χαρακτηριστικά γνωρίσματα

 

VDS = 100V ταυτότητα = 5A
RDS (ΕΠΆΝΩ) < 140m="">

 

 

Εφαρμογή

 

Προστασία μπαταριών
Διακόπτης φορτίων
Uninterruptible παροχή ηλεκτρικού ρεύματος

 

Συσκευασία που χαρακτηρίζει και που διατάζει τις πληροφορίες

 

Ταυτότητα προϊόντων Πακέτο Χαρακτηρισμός Qty (PC)
AP12N10D -252 AP12N10D 3000

 

Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις σε Tj=25℃ εκτός αν αναφέρεται διαφορετικά

 

Παράμετρος Σύμβολο Αξία Μονάδα
Τάση πηγής αγωγών VDS 100 Β
Τάση πηγής πυλών VGS ±20 Β
Συνεχές ρεύμα αγωγών, TC=25 ℃ Ταυτότητα 12 Α
Παλόμενο ρεύμα αγωγών, Τ =25 ℃ Ταυτότητα, σφυγμός 24 Α
Διασκεδασμός δύναμης, Τ C=25 ℃

Π

Δ

17 W
Ενιαία παλόμενη ενέργεια χιονοστιβάδων 5) EAS 1.2 MJ
Θερμοκρασία λειτουργίας και αποθήκευσης Tstg, Tj -55 έως 150
Θερμική αντίσταση, σύνδεση-περίπτωση RθJC 7.4 ℃/W
Θερμική αντίσταση, σύνδεση-ambient4) RθJA 62 ℃/W

 

Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά σε Tj=25 ℃ εκτός αν ορίζεται διαφορετικά

 

Σύμβολο Παράμετρος Όρος δοκιμής Ελάχιστος. Τύπος. Max. Μονάδα
BVDSS Τάση διακοπής αγωγός-πηγής Β =0 Β, ID=250 ΜA 100     Β
VGS (θόριο) Τάση κατώτατων ορίων πυλών Β =V, ID=250 μA 1.2 1.5 2.5 Β
RDS (ΕΠΆΝΩ) -κρατική αντίσταση αγωγός-πηγής VGS=10 Β, ID=5 Α   110 140
RDS (ΕΠΆΝΩ) -κρατική αντίσταση αγωγός-πηγής Β =4.5 Β, ID=3 Α   140 180

 

IGSS

 

Ρεύμα διαρροής πύλη-πηγής

Β =20 Β     100

 

NA

Β =-20 Β     -100
IDSS Ρεύμα διαρροής αγωγός-πηγής VDS=100 Β, VGS=0 Β     1 UA
Ciss Ικανότητα εισαγωγής Β =0 Β,   206.1   pF
Coss Ικανότητα παραγωγής   28.9   pF
Crss Αντίστροφη ικανότητα μεταφοράς   1.4   pF
TD (επάνω) Διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης

VGS=10 Β,

VDS=50 Β,

  14.7   NS
TR Χρόνος ανόδου   3.5   NS
TD (μακριά) Χρόνος καθυστέρησης διακοπών   20.9   NS

τ

φ

Χρόνος πτώσης   2.7   NS
Qg Συνολική δαπάνη πυλών     4.3   nC
Qgs Δαπάνη πύλη-πηγής   1.5   nC
Qgd Δαπάνη πύλη-αγωγών   1.1   nC
Vplateau Τάση οροπέδιων πυλών   5.0   Β
ΕΙΝΑΙ Η δίοδος διαβιβάζει το ρεύμα

 

VGS

    7

 

Α

ISP Παλόμενο ρεύμα πηγής     21
VSD Η δίοδος διαβιβάζει την τάση IS=7 Α, VGS=0 Β     1.0 Β

τ

RR

Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης     32.1   NS
Qrr Αντίστροφη δαπάνη αποκατάστασης   39.4   nC
Irrm Μέγιστο αντίστροφο ρεύμα αποκατάστασης   2.1   Α
Σύμβολο Παράμετρος Όρος δοκιμής Ελάχιστος. Τύπος. Max. Μονάδα
BVDSS Τάση διακοπής αγωγός-πηγής Β =0 Β, ID=250 ΜA 100     Β
VGS (θόριο) Τάση κατώτατων ορίων πυλών Β =V, ID=250 μA 1.2 1.5 2.5 Β
RDS (ΕΠΆΝΩ) -κρατική αντίσταση αγωγός-πηγής VGS=10 Β, ID=5 Α   110 140
RDS (ΕΠΆΝΩ) -κρατική αντίσταση αγωγός-πηγής Β =4.5 Β, ID=3 Α   140 180

 

IGSS

 

Ρεύμα διαρροής πύλη-πηγής

Β =20 Β     100

 

NA

Β =-20 Β     -100
IDSS Ρεύμα διαρροής αγωγός-πηγής VDS=100 Β, VGS=0 Β     1 UA
Ciss Ικανότητα εισαγωγής Β =0 Β,   206.1   pF
Coss Ικανότητα παραγωγής   28.9   pF
Crss Αντίστροφη ικανότητα μεταφοράς   1.4   pF
TD (επάνω) Διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης

VGS=10 Β,

VDS=50 Β,

  14.7   NS
TR Χρόνος ανόδου   3.5   NS
TD (μακριά) Χρόνος καθυστέρησης διακοπών   20.9   NS

τ

φ

Χρόνος πτώσης   2.7   NS
Qg Συνολική δαπάνη πυλών ID=5 Α,
VDS=50 Β,
VGS=10 Β
  4.3   nC
Qgs Δαπάνη πύλη-πηγής   1.5   nC
Qgd Δαπάνη πύλη-αγωγών   1.1   nC
Vplateau Τάση οροπέδιων πυλών   5.0   Β
ΕΙΝΑΙ Η δίοδος διαβιβάζει το ρεύμα

 

VGS

    7

 

Α

ISP Παλόμενο ρεύμα πηγής     21
VSD Η δίοδος διαβιβάζει την τάση IS=7 Α, VGS=0 Β     1.0 Β

τ

RR

Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης IS=5 Α, di/dt=100
A/μs
  32.1   NS
Qrr Αντίστροφη δαπάνη αποκατάστασης   39.4   nC
Irrm Μέγιστο αντίστροφο ρεύμα αποκατάστασης   2.1   Α

 

Προσοχή

 

1, οποιαδήποτε και όλα τα προϊόντα μικροηλεκτρονικής APM που περιγράφονται ή που περιλαμβάνονται εν τω παρόντι δεν έχουν τις προδιαγραφές που μπορούν να χειριστούν τις εφαρμογές που απαιτούν εξαιρετικά τα υψηλά επίπεδα της αξιοπιστίας, όπως τα συστήματα εντατικής θεραπείας, aircraft τα συστήματα ελέγχου, ή άλλες εφαρμογές η των οποίων αποτυχία μπορεί να αναμένεται εύλογα για να οδηγήσει στη σοβαρή φυσική ή/και υλική ζημία. Συσκεφτείτε με αντιπροσωπευτικό κοντινότερο μικροηλεκτρονικής APM σας εσείς πρίν χρησιμοποιεί οποιαδήποτε προϊόντα μικροηλεκτρονικής APM που περιγράφονται ή που περιλαμβάνονται εν τω παρόντι σε τέτοιες εφαρμογές.

2, μικροηλεκτρονική APM δεν αναλαμβάνουν καμία ευθύνη για τις αποτυχίες εξοπλισμού ότι αποτέλεσμα από τη χρησιμοποίηση των προϊόντων στις τιμές που υπερβαίνουν, ακόμα και προς στιγμήν, τις εκτιμημένες τιμές (όπως οι μέγιστες εκτιμήσεις, οι σειρές λειτουργούντος όρου, ή άλλες παράμετροι) που απαριθμούνται στις προδιαγραφές προϊόντων οποιεσδήποτε και όλα τα προϊόντα μικροηλεκτρονικής APM που περιγράφονται ή που περιλαμβάνονται εν τω παρόντι.

3, οι προδιαγραφές οποιεσδήποτε και όλα τα προϊόντα μικροηλεκτρονικής APM περιέγραψαν ή περιείχαν εδώ instipulate την απόδοση, τα χαρακτηριστικά, και τις λειτουργίες των περιγεγραμμένων προϊόντων στη ανεξάρτητη πολιτεία, και δεν είναι εγγυήσεις της απόδοσης, των χαρακτηριστικών, και των λειτουργιών των περιγεγραμμένων προϊόντων όπως τοποθετούνται στα προϊόντα ή τον εξοπλισμό του πελάτη. Για να ελέγξει τα συμπτώματα και τα κράτη που δεν μπορούν να αξιολογηθούν σε μια ανεξάρτητη συσκευή, ο πελάτης πρέπει πάντα να αξιολογήσει και να εξετάσει τις συσκευές που τοποθετούνται στα προϊόντα ή τον εξοπλισμό του πελάτη.

4, Co. ημιαγωγών μικροηλεκτρονικής APM, ΕΠΕ προσπαθούν να παρέχουν υψηλό - προϊόντα ποιοτικής υψηλά αξιοπιστίας. Εντούτοις, οποιαδήποτε και όλα τα προϊόντα ημιαγωγών αποτυγχάνουν με κάποια πιθανότητα. Είναι δυνατό ότι αυτές οι πιθανολογικές αποτυχίες θα μπορούσαν να δώσουν αφορμή για τα ατυχήματα ή τα γεγονότα που θα μπορούσαν να διακινδυνεψουν τις ανθρώπινες ζωές που θα μπορούσαν να δώσουν αφορμή για τον καπνό ή την πυρκαγιά, ή που θα μπορούσαν να προκαλέσουν τη ζημία σε άλλη ιδιοκτησία. Ο εξοπλισμός Whendesigning, υιοθετεί τα μέτρα ασφαλείας έτσι ώστε αυτά τα είδη ατυχημάτων ή γεγονότων δεν μπορούν να εμφανιστούν. Τέτοια μέτρα περιλαμβάνουν αλλά δεν περιορίζονται στα προστατευτικά κυκλώματα και τα κυκλώματα πρόληψης λάθους για το ασφαλές σχέδιο, το περιττό σχέδιο, και το δομικό σχέδιο.

5, σε περίπτωση που οποιαδήποτε ή όλα τα προϊόντα μικροηλεκτρονικής APM (συμπεριλαμβανομένων των τεχνικών στοιχείων, των υπηρεσιών) που περιγράφονται ή που περιλαμβάνονται εν τω παρόντι ελέγχονται βάσει οποιωνδήποτε από τους εφαρμόσιμους τοπικούς νόμους και τους κανονισμούς ελέγχου εξαγωγών, τέτοια προϊόντα δεν πρέπει να εξαχθούν χωρίς λήψη της άδειας εξαγωγής από τις σχετικές αρχές σύμφωνα με τον ανωτέρω νόμο.

6, κανένα μέρος αυτής της δημοσίευσης μπορούν να αναπαραχθούν ή να διαβιβαστούν με οποιαδήποτε μορφή ή με κάθε μέσο, ηλεκτρονικός ή μηχανικός, συμπεριλαμβανομένης της φωτοαντιγραφής και της καταγραφής, ή οποιουδήποτε αποθήκευσης πληροφοριών ή συστήματος ανάκτησης, ή ειδάλλως, χωρίς την προγενέστερη γραπτή άδεια της Co. ημιαγωγών μικροηλεκτρονικής APM, του ΕΠΕ.

7, πληροφορίες (συμπεριλαμβανομένων των διαγραμμάτων κυκλώματος και των παραμέτρων κυκλωμάτων) εν τω παρόντι είναι παραδείγματος χάριν μόνο δεν είναι εγγυημένο για την παραγωγή όγκου. Η μικροηλεκτρονική APM θεωρεί ότι οι πληροφορίες είναι εν τω παρόντι εξακριβωμένες και αξιόπιστες, αλλά καμία εγγύηση δεν γίνεται ή υπονοείται σχετικά με τη χρήση της ή οποιεσδήποτε παραβάσεις των δικαιωμάτων πνευματικής ιδιοκτησίας ή άλλων δικαιωμάτων των τρίτων.

8, οποιαδήποτε και όλες οι πληροφορίες που περιγράφονται ή που περιλαμβάνονται εν τω παρόντι υπόκεινται στην αλλαγή που οφείλεται χωρίς προειδοποίηση στο προϊόν/τη βελτίωση τεχνολογίας, κ.λπ. Κατά τη σχεδιασμό του εξοπλισμού, αναφερθείτε στη «προδιαγραφή παράδοσης» για το προϊόν μικροηλεκτρονικής APM που σκοπεύετε να χρησιμοποιήσετε.

 

Στοιχεία επικοινωνίας
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: David

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Αφήστε ένα μήνυμα

We bellen je snel terug!