Αρχική Σελίδα Προϊόνταmosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης

AP5N10SI Mosfet καναλιών Ν κρυσταλλολυχνία δύναμης για το με μπαταρίες σύστημα

Πιστοποίηση
Κίνα Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Πιστοποιήσεις
Κίνα Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Πιστοποιήσεις
Αναθεωρήσεις πελατών
συνεργασία με τη Hua Xuan Yang οφειλόμαστε κατά ένα μεγάλο μέρος στον επαγγελματισμό τους, η έντονη απάντησή τους στην προσαρμογή των προϊόντων που χρειαζόμαστε, η τακτοποίηση όλων των αναγκών και, προ πάντων, τους μας παροχή ποιοτικών υπηρεσιών.

—— -- Jason από τον Καναδά

Στο πλαίσιο της σύστασης του φίλου μου, ξέρουμε για τη Hua Xuan Yang, έναν ανώτερο εμπειρογνώμονα στον ημιαγωγό και τη βιομηχανία ηλεκτρονικών συστατικών, η οποία έχει επιτρέψει σε μας για να μειώσει τον πολύτιμο χρόνο μας και να μην ειναι απαραίτητο να αποτολμήσει τη δοκιμή άλλα εργοστάσια.

—— -- Виктор από τη Ρωσία

Είμαι Online Chat Now

AP5N10SI Mosfet καναλιών Ν κρυσταλλολυχνία δύναμης για το με μπαταρίες σύστημα

AP5N10SI Mosfet καναλιών Ν κρυσταλλολυχνία δύναμης για το με μπαταρίες σύστημα
AP5N10SI Mosfet καναλιών Ν κρυσταλλολυχνία δύναμης για το με μπαταρίες σύστημα AP5N10SI Mosfet καναλιών Ν κρυσταλλολυχνία δύναμης για το με μπαταρίες σύστημα AP5N10SI Mosfet καναλιών Ν κρυσταλλολυχνία δύναμης για το με μπαταρίες σύστημα

Μεγάλες Εικόνας :  AP5N10SI Mosfet καναλιών Ν κρυσταλλολυχνία δύναμης για το με μπαταρίες σύστημα

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Shenzhen Κίνας
Μάρκα: Hua Xuan Yang
Πιστοποίηση: RoHS、SGS
Αριθμό μοντέλου: AP5N10SI
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: διαπραγμάτευση
Τιμή: Negotiated
Συσκευασία λεπτομέρειες: Εγκιβωτισμένος
Χρόνος παράδοσης: 1 - 2 εβδομάδες
Όροι πληρωμής: L/C T/T Western Union
Δυνατότητα προσφοράς: 18,000,000PCS/ανά ημέρα

AP5N10SI Mosfet καναλιών Ν κρυσταλλολυχνία δύναμης για το με μπαταρίες σύστημα

περιγραφή
Όνομα Προϊόντος: Mosfet καναλιών Ν κρυσταλλολυχνία δύναμης μοντέλο: AP5N10SI
Πακέτο: Sot89-3 Χαρακτηρισμός: AP5N10SI YYWWWW
Τάση VDSDrain-πηγής: 100V Rce τάση VGSGate-Sou: ±20A
Υψηλό φως:

mosfet καναλιών ν κρυσταλλολυχνία

,

κρυσταλλολυχνία υψηλής τάσης

AP5N10SI Mosfet καναλιών Ν κρυσταλλολυχνία δύναμης για το με μπαταρίες σύστημα

 

Mosfet καναλιών Ν περιγραφή κρυσταλλολυχνιών δύναμης:

 

Το AP5N10SI είναι η ενιαία N-Channel λογική

κρυσταλλολυχνίες επίδρασης τομέων δύναμης τρόπου αυξήσεων

παρέχετε το άριστο Ρ DS (επάνω), τη χαμηλή δαπάνη πυλών και χαμηλός

αντίσταση πυλών. Είναι μέχρι την τάση λειτουργίας 30V είναι καλοταιριασμένο στην παροχή ηλεκτρικού ρεύματος τρόπου μετατροπής, SMPS,

διαχείριση δύναμης φορητών υπολογιστών και άλλη

με μπαταρίες κυκλώματα.

 

Mosfet καναλιών Ν χαρακτηριστικά γνωρίσματα κρυσταλλολυχνιών δύναμης:

 

RDS (ΕΠΆΝΩ)<125m>

RDS (ΕΠΆΝΩ)<135m>

Έξοχο σχέδιο κυττάρων υψηλής πυκνότητας για εξαιρετικά - χαμηλός

Εξαιρετική -αντίσταση RDS (ΕΠΆΝΩ) και μέγιστο ΣΥΝΕΧΈΣ ρεύμα

 

Mosfet καναλιών Ν εφαρμογές κρυσταλλολυχνιών δύναμης:

 

Παροχή ηλεκτρικού ρεύματος μετατροπής, SMPS

Με μπαταρίες σύστημα

DC/DC μετατροπέας

DC/AC μετατροπέας

Διακόπτης φορτίων

 

Συσκευασία που χαρακτηρίζει και που διατάζει τις πληροφορίες

 

Ταυτότητα προϊόντων Πακέτο Χαρακτηρισμός Qty (PC)
AP5N10SI Sot89-3 AP5N10SI YYWWWW 1000

 

Επιτραπέζιες 1.Absolute μέγιστες εκτιμήσεις (TA =25℃)

 

 

Σύμβολο Παράμετρος Αξία Μονάδα
VDS Τάση αγωγός-πηγής (VGS=0V) 100 Β
VGS Τάση πύλη-πηγής (VDS=0V) ±25 Β

 

Δ

Ι

Αγωγός τρέχων-συνεχής (Tc=25 ℃) 5 Α
Αγωγός τρέχων-συνεχής (Tc=100 ℃) 3.1 Α
IDM (pluse) Αγωγός Current-Continuous@ τρέχων-παλόμενο (σημείωση 1) 20 Α
PD Μέγιστος διασκεδασμός δύναμης 9.3 W
TJ, TSTG Λειτουργούσα σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων και αποθήκευσης -55 έως 150
Σύμβολο Παράμετρος Αξία Μονάδα
VDS Τάση αγωγός-πηγής (VGS=0V) 100 Β
VGS Τάση πύλη-πηγής (VDS=0V) ±25 Β

 

Δ

Ι

Αγωγός τρέχων-συνεχής (Tc=25 ℃) 5 Α
Αγωγός τρέχων-συνεχής (Tc=100 ℃) 3.1 Α
IDM (pluse) Αγωγός Current-Continuous@ τρέχων-παλόμενο (σημείωση 1) 20 Α
PD Μέγιστος διασκεδασμός δύναμης 9.3 W
TJ, TSTG Λειτουργούσα σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων και αποθήκευσης -55 έως 150

 

Επιτραπέζιο 2.Thermal χαρακτηριστικό

 

Σύμβολο Παράμετρος Τύπος Αξία Μονάδα
Ρ JA Θερμική αντίσταση, σύνδεση--περιβαλλοντική - 13.5 ℃/W

 

Πίνακας 3. Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά (TA =25℃unless που σημειώνεται ειδάλλως)

 

Σύμβολο Παράμετρος Όροι Λ. Τύπος Max Μονάδα
On/Off κράτη          
BVDSS Τάση διακοπής αγωγός-πηγής VGS=0V ID=250μA 100     Β
IDSS Μηδέν ρεύμα αγωγών τάσης πυλών VDS=100V, VGS=0V     100 μA
IGSS Ρεύμα διαρροής πύλη-σώματος VGS=±20V, VDS=0V     ±100 NA
VGS (θόριο) Τάση κατώτατων ορίων πυλών VDS=VGS, ID=250 μA 1 1.5 3 Β

 

RDS (ΕΠΆΝΩ)

 

-κρατική αντίσταση αγωγός-πηγής

VGS=10V, ID= 10A   110 125 μ Ω
VGS=4.5V, ID=-5A   120 135 μ Ω
Δυναμικά χαρακτηριστικά
Ciss Ικανότητα εισαγωγής

 

VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz

  690   pF
Coss Ικανότητα παραγωγής   120   pF
Crss Αντίστροφη ικανότητα μεταφοράς   90   pF
Χρόνοι διακοπής
TD (επάνω) Διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης     11   NS

ρ

τ

Διεγερτικός χρόνος ανόδου   7.4   NS
TD (μακριά) Χρόνος καθυστέρησης διακοπών   35   NS

φ

τ

Χρόνος πτώσης διακοπών   9.1   NS
Qg Συνολική δαπάνη πυλών VDS=15V, ID=10A Β GS=10V   15.5   nC
Qgs Δαπάνη πύλη-πηγής   3.2   nC
Qgd Δαπάνη πύλη-αγωγών   4.7   nC
Χαρακτηριστικά διόδων πηγή-αγωγών
ISD Ρεύμα πηγή-αγωγών (δίοδος σώματος)       20 Α
VSD Διαβιβάστε στην τάση (σημείωση 1) VGS=0V, IS=2A     0,8 Β

 

Επανακυκλοφορία που συγκολλά:

 

Η επιλογή της μεθόδου θέρμανσης μπορεί να επηρεαστεί από την πλαστική συσκευασία QFP). Εάν οι υπέρυθρες ακτίνες ή ο ατμός συγχρονίζουν τη θέρμανση χρησιμοποιούνται και

η συσκευασία δεν είναι απολύτως ξηρά (λιγότερο από 0,1% περιεκτικότητα σε υγρασία σε βάρος), εξάτμιση της υγρασίας μικρού ποσού

σε τους μπορεί να προκαλέσει το ράγισμα του πλαστικού σώματος. Η προθέρμανση είναι απαραίτητη για να ξεράνει την κόλλα και να εξατμίσει τον πράκτορα συνδέσεων. Προθέρμανση της διάρκειας: 45 λεπτά σε 45 °C.

 

Η συγκόλληση επανακυκλοφορίας απαιτεί την κόλλα ύλης συγκολλήσεως (μια αναστολή των λεπτών μορίων ύλης συγκολλήσεως, της ροής και του πράκτορα συνδέσεων) για να εφαρμοστεί στο printed-circuit πίνακα με την εκτύπωση οθόνης, ή τη διανομή πίεση-συρίγγων πριν από την τοποθέτηση συσκευασίας. Διάφορες μέθοδοι υπάρχουν για παραδείγματος χάριν, μεταφορά ή μεταφορά/υπέρυθρη θέρμανση σε έναν φούρνο τύπων μεταφορέων. Οι χρόνοι ρυθμοαπόδοσης (προθέρμανση, συγκόλληση και ψύξη) ποικίλλουν μεταξύ 100 και 200 δευτερολέπτων ανάλογα με τη μέθοδο θέρμανσης.

 

Χαρακτηριστική σειρά θερμοκρασιών επανακυκλοφορίας μέγιστη από 215 έως 270 °C ανάλογα με το υλικό κολλών ύλης συγκολλήσεως. Η τοπ-επιφάνεια

θερμοκρασία των συσκευασιών εάν προτιμητέος να κρατηθεί κάτω από 245 °C για τις παχιές/μεγάλες συσκευασίες (συσκευασίες με ένα πάχος

 

2,5 χιλ. ή με έναν όγκο 350 χιλ.

3

αποκαλούμενες παχιές/μεγάλες συσκευασίες). Η θερμοκρασία τοπ-επιφάνειας των συσκευασιών πρέπει

 

προτιμητέος κρατιέται κάτω από 260 °C για τις λεπτές/μικρές συσκευασίες (συσκευασίες με ένα πάχος < 2="">

 

Στάδιο Όρος Διάρκεια
1 " κριός του ST επάνω στο ποσοστό max3.0+/-2 το /sec -
Προθερμάνετε 150 ~200 60~180 SEC
2 " κριός ND επάνω max3.0+/-2 το /sec -
Ένωση ύλης συγκολλήσεως 217 ανωτέρω 60~150 SEC
Μέγιστα Temp 260 +0/-5 20~40 SEC
Κριός κάτω από το ποσοστό 6 /sec ανώτατο -

 

Κύμα που συγκολλά:

 

Η συμβατική ενιαία συγκόλληση κυμάτων δεν συστήνεται για την επιφάνεια τοποθετεί τις συσκευές το (SMDs) ή printed-circuit τους πίνακες με μια υψηλή συστατική πυκνότητα, δεδομένου ότι η ύλη συγκολλήσεως που γεφυρώνει και μη-που βρέχει μπορεί να παρουσιάσει τα σοβαρά προβλήματα.

 

Εγχειρίδιο που συγκολλά:

 

Καθορίστε το συστατικό με πρώτα να συγκολλήσει δύο διαγώνια-αντίθετους μολύβδους τελών. Χρησιμοποιήστε έναν χαμηλό συγκολλώντας σίδηρο τάσης (24 Β ή λιγότεροι) που εφαρμόζεται στο επίπεδο μέρος του μολύβδου. Ο χρόνος επαφών πρέπει να περιοριστεί σε 10 δευτερόλεπτα σε μέχρι 300 °C. Κατά χρησιμοποίηση ενός αφιερωμένου εργαλείου, όλοι οι άλλοι τη μόλυβδοι μπορούν να συγκολληθούν σε μια λειτουργία μέσα σε 2 έως 5 δευτερόλεπτα μεταξύ 270 και 320 °C.

Στοιχεία επικοινωνίας
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: David

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Αφήστε ένα μήνυμα

We bellen je snel terug!