Αρχική Σελίδα Προϊόνταmosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης

Mosfet καναλιών cOem Ν κρυσταλλολυχνία, μικρός Mosfet τρόπος αυξήσεων διακοπτών δύναμης

Πιστοποίηση
Κίνα Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Πιστοποιήσεις
Κίνα Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Πιστοποιήσεις
Αναθεωρήσεις πελατών
συνεργασία με τη Hua Xuan Yang οφειλόμαστε κατά ένα μεγάλο μέρος στον επαγγελματισμό τους, η έντονη απάντησή τους στην προσαρμογή των προϊόντων που χρειαζόμαστε, η τακτοποίηση όλων των αναγκών και, προ πάντων, τους μας παροχή ποιοτικών υπηρεσιών.

—— -- Jason από τον Καναδά

Στο πλαίσιο της σύστασης του φίλου μου, ξέρουμε για τη Hua Xuan Yang, έναν ανώτερο εμπειρογνώμονα στον ημιαγωγό και τη βιομηχανία ηλεκτρονικών συστατικών, η οποία έχει επιτρέψει σε μας για να μειώσει τον πολύτιμο χρόνο μας και να μην ειναι απαραίτητο να αποτολμήσει τη δοκιμή άλλα εργοστάσια.

—— -- Виктор από τη Ρωσία

Είμαι Online Chat Now

Mosfet καναλιών cOem Ν κρυσταλλολυχνία, μικρός Mosfet τρόπος αυξήσεων διακοπτών δύναμης

Mosfet καναλιών cOem Ν κρυσταλλολυχνία, μικρός Mosfet τρόπος αυξήσεων διακοπτών δύναμης
Mosfet καναλιών cOem Ν κρυσταλλολυχνία, μικρός Mosfet τρόπος αυξήσεων διακοπτών δύναμης

Μεγάλες Εικόνας :  Mosfet καναλιών cOem Ν κρυσταλλολυχνία, μικρός Mosfet τρόπος αυξήσεων διακοπτών δύναμης

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Shenzhen Κίνας
Μάρκα: Hua Xuan Yang
Πιστοποίηση: RoHS、SGS
Αριθμό μοντέλου: 12N60
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: 1000-2000 PC
Τιμή: Negotiated
Συσκευασία λεπτομέρειες: Εγκιβωτισμένος
Χρόνος παράδοσης: 1 - 2 εβδομάδες
Όροι πληρωμής: L/C T/T Western Union
Δυνατότητα προσφοράς: 18,000,000PCS/ανά ημέρα

Mosfet καναλιών cOem Ν κρυσταλλολυχνία, μικρός Mosfet τρόπος αυξήσεων διακοπτών δύναμης

περιγραφή
Όνομα Προϊόντος: mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης εφαρμογή: Διαχείριση δύναμης
Χαρακτηριστικό γνώρισμα: Άριστο RDS (επάνω) Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνία: MOSFET δύναμης τρόπου αυξήσεων
Αριθμό μοντέλου: 12N60 Τύπος: mosfet καναλιών ν κρυσταλλολυχνία
Υψηλό φως:

mosfet καναλιών ν κρυσταλλολυχνία

,

κρυσταλλολυχνία υψηλής τάσης

Mosfet καναλιών cOem Ν κρυσταλλολυχνία, μικρός Mosfet τρόπος αυξήσεων διακοπτών δύναμης

 

Mosfet καναλιών Ν ΠΕΡΙΓΡΑΦΉ κρυσταλλολυχνιών

Το UTC 12n60-γ είναι MOSFET δύναμης υψηλής τάσης με σκοπό να έχει τα καλύτερα χαρακτηριστικά, όπως ο γρήγορος χρόνος διακοπής, η χαμηλή δαπάνη πυλών, η χαμηλή -κρατική αντίσταση και τα υψηλά τραχιά χαρακτηριστικά χιονοστιβάδων. Αυτό το MOSFET δύναμης χρησιμοποιείται συνήθως στις εφαρμογές μετατροπής υψηλής ταχύτητας των παροχών ηλεκτρικού ρεύματος μετατροπής και των προσαρμοστών.

Mosfet καναλιών cOem Ν κρυσταλλολυχνία, μικρός Mosfet τρόπος αυξήσεων διακοπτών δύναμης 0

 

Mosfet καναλιών Ν ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΆ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ κρυσταλλολυχνιών

  * ΡDS(ΕΠΆΝΩ)< 0=""> GS = 10 Β, ΙΔ = 6,0 Α

* Γρήγορη ικανότητα μετατροπής

* Ενέργεια χιονοστιβάδων δοκιμασμένη

* Βελτιωμένη ικανότητα dv/dt, υψηλή τραχύτητα

 

Mosfet καναλιών cOem Ν κρυσταλλολυχνία, μικρός Mosfet τρόπος αυξήσεων διακοπτών δύναμης 1

 

ΔΙΑΤΑΓΗ ΤΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ

Διαταγή του αριθμού Συσκευασία Ανάθεση καρφιτσών Συσκευασία
Αμόλυβδος Αλόγονο ελεύθερο   1 2 3  
12n60l-tf1-τ 12n60g-tf1-τ -220F1 Γ Δ S Σωλήνας
12n60l-tf3-τ 12n60g-tf3-τ -220F Γ Δ S Σωλήνας

 

 

Σημείωση: Ανάθεση καρφιτσών: Γ: Πύλη Δ: Αγωγός S: Πηγή

 

 

Mosfet καναλιών cOem Ν κρυσταλλολυχνία, μικρός Mosfet τρόπος αυξήσεων διακοπτών δύναμης 2

 

ΑΠΟΛΥΤΕΣ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ (ΤΓ = 25°С, εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)

 

ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ ΣΥΜΒΟΛΟ ΟΡΟΙ ΔΟΚΙΜΗΣ Λ. ΤΥΠΟΣ MAX UNI Τ
ΑΠΟ ΤΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
Τάση διακοπής αγωγός-πηγής BVDSS ΒGS=0V, ΙD=250μA 600     Β
Ρεύμα διαρροής αγωγός-πηγής IDSS ΒDS=600V, ΒGS=0V     1 μA
Ρεύμα διαρροής πηγής πυλών Διαβιβάστε IGSS ΒGS=30V, ΒDS=0V     100 NA
Αντιστροφή ΒGS=-30V, ΒDS=0V     -100 NA
ΣΤΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
Τάση κατώτατων ορίων πυλών VGS (ΘΌΡΙΟ) ΒDS=VGS, ΙD=250μA 2.0   4.0 Β
Στατική -κρατική αντίσταση αγωγός-πηγής RDS (ΕΠΆΝΩ) ΒGS=10V, ΙD=6.0A     0,7
ΔΥΝΑΜΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
Ικανότητα εισαγωγής CISS

 

ΒGS=0V, ΒDS=25V, φ =1.0 MHZ

  1465   pF
Ικανότητα παραγωγής COSS   245   pF
Αντίστροφη ικανότητα μεταφοράς CRSS   57   pF
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΜΕΤΑΤΡΟΠΗΣ
Συνολική δαπάνη πυλών (σημείωση 1) QΓ ΒDS=50V, ΙD=1.3A, ΙG=100μA ΒGS=10V (σημείωση 1,2)   144   nC
Δαπάνη πύλη-πηγής QGS   10   nC
Δαπάνη πύλη-αγωγών QGD   27   nC
Διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης (σημείωση 1) TD (ΕΠΆΝΩ)

 

ΒDD =30V, ΙΔ =0.5A,

ΡΓ =25Ω, ΒGS=10V (σημείωση 1,2)

  81   NS
Διεγερτικός χρόνος ανόδου τΡ   152   NS
Χρόνος καθυστέρησης διακοπών TD (ΜΑΚΡΙΆ)   430   NS
Χρόνος πτώσης διακοπών τΦ   215   NS
ΑΓΩΓΌΣ-ΠΗΓΗ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΔΙΟΔΩΝ ΚΑΙ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ
Η μέγιστη συνεχής δίοδος αγωγός-πηγής διαβιβάζει το ρεύμα ΙS       12 Α

Μέγιστη παλόμενη δίοδος αγωγός-πηγής

Μπροστινό ρεύμα

ΙΣΜΌΣ       48 Α
Η δίοδος αγωγός-πηγής διαβιβάζει την τάση VSD ΒGS=0 Β, ΙS=6.0 Α     1.4 Β
Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης trr

ΒGS=0 Β, ΙS=6.0 Α,

DiF/dt=100 A/μs (σημείωση 1)

  336   NS
Αντίστροφη δαπάνη αποκατάστασης Qrr   2.21   μC

Σημειώσεις: 1. Οι απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις είναι εκείνες οι τιμές πέρα από τις οποίες η συσκευή θα μπορούσε να βλαφθεί μόνιμα.

Οι απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις είναι εκτιμήσεις πίεσης μόνο και η λειτουργική λειτουργία συσκευών δεν είναι υπονοούμενη.

4. Επαναλαμβανόμενη εκτίμηση: Πλάτος σφυγμού που περιορίζεται από τη μέγιστη θερμοκρασία συνδέσεων.

5. Λ = 84mH, ΙΩΣ =1.4A, ΒDD = 50V, ΡΓ = 25 Ω που αρχίζουν το ΤJ = 25°C

6. ΙSD ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, ΒDD ≤BVDSS, αρχικό ΤJ = 25°C

 

 

ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ (ΤJ = 25°С, εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)

 

Παράμετρος Σύμβολο Όρος Λ. Τύπος Max Μονάδα
Από τα χαρακτηριστικά
Τάση διακοπής αγωγός-πηγής BVDSS ΒGS=0V ΙD=250μA 100 110 - Β
Μηδέν ρεύμα αγωγών τάσης πυλών IDSS ΒDS=100V, ΒGS=0V - - 1 μA
Ρεύμα διαρροής πύλη-σώματος IGSS ΒGS=±20V, ΒDS=0V - - ±100 NA
Στα χαρακτηριστικά (σημείωση 3)
Τάση κατώτατων ορίων πυλών VGS (θόριο) ΒDS=VGS, ΙD=250μA 1.2 1.8 2.5 Β
-κρατική αντίσταση αγωγός-πηγής RDS (ΕΠΆΝΩ) ΒGS=10V, ΙΔ =8A 98   130 μ Ω
Μπροστινό Transconductance gFS ΒDS=25V, ΙD=6A 3.5 - - S
Δυναμικά χαρακτηριστικά (Note4)
Ικανότητα εισαγωγής Clss

 

ΒDS=25V, ΒGS=0V, F=1.0MHz

- 690 - PF
Ικανότητα παραγωγής Coss   - 120 - PF
Αντίστροφη ικανότητα μεταφοράς Crss   - 90 - PF
Χαρακτηριστικά μετατροπής (σημείωση 4)
Διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης TD (επάνω)

 

ΒDD=30V, ΙD=2A, ΡL=15Ω ΒGS=10V, ΡG=2.5Ω

- 11 - NS
Διεγερτικός χρόνος ανόδου τρ   - 7.4 - NS
Χρόνος καθυστέρησης διακοπών TD (μακριά)   - 35 - NS
Χρόνος πτώσης διακοπών τφ   - 9.1 - NS
Συνολική δαπάνη πυλών Qγ

 

ΒDS=30V, ΙD=3A, ΒGS=10V

- 15.5   nC
Δαπάνη πύλη-πηγής Qgs   - 3.2 - nC
Δαπάνη πύλη-αγωγών Qgd   - 4.7 - nC
Χαρακτηριστικά διόδων αγωγός-πηγής
Μπροστινή τάση διόδων (σημείωση 3) VSD ΒGS=0V, ΙS=9.6A - - 1.2 Β
Μπροστινό ρεύμα διόδων (σημείωση 2) ΙS   - - 9.6 Α
Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης trr

TJ = 25°C, ΕΆΝ =9.6A

di/dt = 100A/μs(Note3)

- 21   NS
Αντίστροφη δαπάνη αποκατάστασης Qrr   - 97   nC
Μπροστινός διεγερτικός χρόνος τόνος Ο εγγενής διεγερτικός χρόνος είναι αμελητέος (διεγερτικός εξουσιάζεται από LS+LD)


Ουσιαστικά ανεξάρτητος της λειτουργούσας θερμοκρασίας. Σημειώσεις: 1. Δοκιμή σφυγμού: Πλάτος σφυγμού ≤ 300µs, κύκλος καθήκοντος ≤ 2%.

 

Mosfet καναλιών cOem Ν κρυσταλλολυχνία, μικρός Mosfet τρόπος αυξήσεων διακοπτών δύναμης 3

Mosfet καναλιών cOem Ν κρυσταλλολυχνία, μικρός Mosfet τρόπος αυξήσεων διακοπτών δύναμης 4

 

 

Στοιχεία επικοινωνίας
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: David

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Αφήστε ένα μήνυμα

We bellen je snel terug!