Λεπτομέρειες:
|
Όνομα Προϊόντος: | mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης | εφαρμογή: | Διαχείριση δύναμης |
---|---|---|---|
Χαρακτηριστικό γνώρισμα: | Άριστο RDS (επάνω) | Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνία: | MOSFET δύναμης τρόπου αυξήσεων |
Αριθμό μοντέλου: | 12N60 | Τύπος: | mosfet καναλιών ν κρυσταλλολυχνία |
Υψηλό φως: | mosfet καναλιών ν κρυσταλλολυχνία,κρυσταλλολυχνία υψηλής τάσης |
Mosfet καναλιών cOem Ν κρυσταλλολυχνία, μικρός Mosfet τρόπος αυξήσεων διακοπτών δύναμης
Mosfet καναλιών Ν ΠΕΡΙΓΡΑΦΉ κρυσταλλολυχνιών
Το UTC 12n60-γ είναι MOSFET δύναμης υψηλής τάσης με σκοπό να έχει τα καλύτερα χαρακτηριστικά, όπως ο γρήγορος χρόνος διακοπής, η χαμηλή δαπάνη πυλών, η χαμηλή -κρατική αντίσταση και τα υψηλά τραχιά χαρακτηριστικά χιονοστιβάδων. Αυτό το MOSFET δύναμης χρησιμοποιείται συνήθως στις εφαρμογές μετατροπής υψηλής ταχύτητας των παροχών ηλεκτρικού ρεύματος μετατροπής και των προσαρμοστών.
Mosfet καναλιών Ν ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΆ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ κρυσταλλολυχνιών
* ΡDS(ΕΠΆΝΩ)< 0=""> GS = 10 Β, ΙΔ = 6,0 Α
* Γρήγορη ικανότητα μετατροπής
* Ενέργεια χιονοστιβάδων δοκιμασμένη
* Βελτιωμένη ικανότητα dv/dt, υψηλή τραχύτητα
Διαταγή του αριθμού | Συσκευασία | Ανάθεση καρφιτσών | Συσκευασία | |||
Αμόλυβδος | Αλόγονο ελεύθερο | 1 | 2 | 3 | ||
12n60l-tf1-τ | 12n60g-tf1-τ | -220F1 | Γ | Δ | S | Σωλήνας |
12n60l-tf3-τ | 12n60g-tf3-τ | -220F | Γ | Δ | S | Σωλήνας |
Σημείωση: Ανάθεση καρφιτσών: Γ: Πύλη Δ: Αγωγός S: Πηγή
ΑΠΟΛΥΤΕΣ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ (ΤΓ = 25°С, εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)
ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ | ΣΥΜΒΟΛΟ | ΟΡΟΙ ΔΟΚΙΜΗΣ | Λ. | ΤΥΠΟΣ | MAX | UNI Τ | |
ΑΠΟ ΤΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ | |||||||
Τάση διακοπής αγωγός-πηγής | BVDSS | ΒGS=0V, ΙD=250μA | 600 | Β | |||
Ρεύμα διαρροής αγωγός-πηγής | IDSS | ΒDS=600V, ΒGS=0V | 1 | μA | |||
Ρεύμα διαρροής πηγής πυλών | Διαβιβάστε | IGSS | ΒGS=30V, ΒDS=0V | 100 | NA | ||
Αντιστροφή | ΒGS=-30V, ΒDS=0V | -100 | NA | ||||
ΣΤΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ | |||||||
Τάση κατώτατων ορίων πυλών | VGS (ΘΌΡΙΟ) | ΒDS=VGS, ΙD=250μA | 2.0 | 4.0 | Β | ||
Στατική -κρατική αντίσταση αγωγός-πηγής | RDS (ΕΠΆΝΩ) | ΒGS=10V, ΙD=6.0A | 0,7 | Ω | |||
ΔΥΝΑΜΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ | |||||||
Ικανότητα εισαγωγής | CISS |
ΒGS=0V, ΒDS=25V, φ =1.0 MHZ |
1465 | pF | |||
Ικανότητα παραγωγής | COSS | 245 | pF | ||||
Αντίστροφη ικανότητα μεταφοράς | CRSS | 57 | pF | ||||
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΜΕΤΑΤΡΟΠΗΣ | |||||||
Συνολική δαπάνη πυλών (σημείωση 1) | QΓ | ΒDS=50V, ΙD=1.3A, ΙG=100μA ΒGS=10V (σημείωση 1,2) | 144 | nC | |||
Δαπάνη πύλη-πηγής | QGS | 10 | nC | ||||
Δαπάνη πύλη-αγωγών | QGD | 27 | nC | ||||
Διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης (σημείωση 1) | TD (ΕΠΆΝΩ) |
ΒDD =30V, ΙΔ =0.5A, ΡΓ =25Ω, ΒGS=10V (σημείωση 1,2) |
81 | NS | |||
Διεγερτικός χρόνος ανόδου | τΡ | 152 | NS | ||||
Χρόνος καθυστέρησης διακοπών | TD (ΜΑΚΡΙΆ) | 430 | NS | ||||
Χρόνος πτώσης διακοπών | τΦ | 215 | NS | ||||
ΑΓΩΓΌΣ-ΠΗΓΗ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΔΙΟΔΩΝ ΚΑΙ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ | |||||||
Η μέγιστη συνεχής δίοδος αγωγός-πηγής διαβιβάζει το ρεύμα | ΙS | 12 | Α | ||||
Μέγιστη παλόμενη δίοδος αγωγός-πηγής Μπροστινό ρεύμα |
ΙΣΜΌΣ | 48 | Α | ||||
Η δίοδος αγωγός-πηγής διαβιβάζει την τάση | VSD | ΒGS=0 Β, ΙS=6.0 Α | 1.4 | Β | |||
Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης | trr |
ΒGS=0 Β, ΙS=6.0 Α, DiF/dt=100 A/μs (σημείωση 1) |
336 | NS | |||
Αντίστροφη δαπάνη αποκατάστασης | Qrr | 2.21 | μC |
Σημειώσεις: 1. Οι απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις είναι εκείνες οι τιμές πέρα από τις οποίες η συσκευή θα μπορούσε να βλαφθεί μόνιμα.
Οι απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις είναι εκτιμήσεις πίεσης μόνο και η λειτουργική λειτουργία συσκευών δεν είναι υπονοούμενη.
4. Επαναλαμβανόμενη εκτίμηση: Πλάτος σφυγμού που περιορίζεται από τη μέγιστη θερμοκρασία συνδέσεων.
5. Λ = 84mH, ΙΩΣ =1.4A, ΒDD = 50V, ΡΓ = 25 Ω που αρχίζουν το ΤJ = 25°C
6. ΙSD ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, ΒDD ≤BVDSS, αρχικό ΤJ = 25°C
ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ (ΤJ = 25°С, εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)
Παράμετρος | Σύμβολο | Όρος | Λ. | Τύπος | Max | Μονάδα |
Από τα χαρακτηριστικά | ||||||
Τάση διακοπής αγωγός-πηγής | BVDSS | ΒGS=0V ΙD=250μA | 100 | 110 | - | Β |
Μηδέν ρεύμα αγωγών τάσης πυλών | IDSS | ΒDS=100V, ΒGS=0V | - | - | 1 | μA |
Ρεύμα διαρροής πύλη-σώματος | IGSS | ΒGS=±20V, ΒDS=0V | - | - | ±100 | NA |
Στα χαρακτηριστικά (σημείωση 3) | ||||||
Τάση κατώτατων ορίων πυλών | VGS (θόριο) | ΒDS=VGS, ΙD=250μA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | Β |
-κρατική αντίσταση αγωγός-πηγής | RDS (ΕΠΆΝΩ) | ΒGS=10V, ΙΔ =8A | 98 | 130 | μ Ω | |
Μπροστινό Transconductance | gFS | ΒDS=25V, ΙD=6A | 3.5 | - | - | S |
Δυναμικά χαρακτηριστικά (Note4) | ||||||
Ικανότητα εισαγωγής | Clss |
ΒDS=25V, ΒGS=0V, F=1.0MHz |
- | 690 | - | PF |
Ικανότητα παραγωγής | Coss | - | 120 | - | PF | |
Αντίστροφη ικανότητα μεταφοράς | Crss | - | 90 | - | PF | |
Χαρακτηριστικά μετατροπής (σημείωση 4) | ||||||
Διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης | TD (επάνω) |
ΒDD=30V, ΙD=2A, ΡL=15Ω ΒGS=10V, ΡG=2.5Ω |
- | 11 | - | NS |
Διεγερτικός χρόνος ανόδου | τρ | - | 7.4 | - | NS | |
Χρόνος καθυστέρησης διακοπών | TD (μακριά) | - | 35 | - | NS | |
Χρόνος πτώσης διακοπών | τφ | - | 9.1 | - | NS | |
Συνολική δαπάνη πυλών | Qγ |
ΒDS=30V, ΙD=3A, ΒGS=10V |
- | 15.5 | nC | |
Δαπάνη πύλη-πηγής | Qgs | - | 3.2 | - | nC | |
Δαπάνη πύλη-αγωγών | Qgd | - | 4.7 | - | nC | |
Χαρακτηριστικά διόδων αγωγός-πηγής | ||||||
Μπροστινή τάση διόδων (σημείωση 3) | VSD | ΒGS=0V, ΙS=9.6A | - | - | 1.2 | Β |
Μπροστινό ρεύμα διόδων (σημείωση 2) | ΙS | - | - | 9.6 | Α | |
Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης | trr |
TJ = 25°C, ΕΆΝ =9.6A di/dt = 100A/μs(Note3) |
- | 21 | NS | |
Αντίστροφη δαπάνη αποκατάστασης | Qrr | - | 97 | nC | ||
Μπροστινός διεγερτικός χρόνος | τόνος | Ο εγγενής διεγερτικός χρόνος είναι αμελητέος (διεγερτικός εξουσιάζεται από LS+LD) |
Ουσιαστικά ανεξάρτητος της λειτουργούσας θερμοκρασίας. Σημειώσεις: 1. Δοκιμή σφυγμού: Πλάτος σφυγμού ≤ 300µs, κύκλος καθήκοντος ≤ 2%.
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: David