Αρχική Σελίδα Προϊόνταmosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης

Διάφορα Mosfet δύναμης ισοδύναμος χαρακτηρισμός ενισχυτών κρυσταλλολυχνιών 6N60 Ζ 6.2A 600V ραδιο

Πιστοποίηση
Κίνα Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Πιστοποιήσεις
Κίνα Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Πιστοποιήσεις
Αναθεωρήσεις πελατών
συνεργασία με τη Hua Xuan Yang οφειλόμαστε κατά ένα μεγάλο μέρος στον επαγγελματισμό τους, η έντονη απάντησή τους στην προσαρμογή των προϊόντων που χρειαζόμαστε, η τακτοποίηση όλων των αναγκών και, προ πάντων, τους μας παροχή ποιοτικών υπηρεσιών.

—— -- Jason από τον Καναδά

Στο πλαίσιο της σύστασης του φίλου μου, ξέρουμε για τη Hua Xuan Yang, έναν ανώτερο εμπειρογνώμονα στον ημιαγωγό και τη βιομηχανία ηλεκτρονικών συστατικών, η οποία έχει επιτρέψει σε μας για να μειώσει τον πολύτιμο χρόνο μας και να μην ειναι απαραίτητο να αποτολμήσει τη δοκιμή άλλα εργοστάσια.

—— -- Виктор από τη Ρωσία

Είμαι Online Chat Now

Διάφορα Mosfet δύναμης ισοδύναμος χαρακτηρισμός ενισχυτών κρυσταλλολυχνιών 6N60 Ζ 6.2A 600V ραδιο

Διάφορα Mosfet δύναμης ισοδύναμος χαρακτηρισμός ενισχυτών κρυσταλλολυχνιών 6N60 Ζ 6.2A 600V ραδιο
Διάφορα Mosfet δύναμης ισοδύναμος χαρακτηρισμός ενισχυτών κρυσταλλολυχνιών 6N60 Ζ 6.2A 600V ραδιο

Μεγάλες Εικόνας :  Διάφορα Mosfet δύναμης ισοδύναμος χαρακτηρισμός ενισχυτών κρυσταλλολυχνιών 6N60 Ζ 6.2A 600V ραδιο

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Shenzhen Κίνας
Μάρκα: Hua Xuan Yang
Πιστοποίηση: RoHS、SGS
Αριθμό μοντέλου: 6N60
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: 1000-2000 PC
Τιμή: Negotiated
Συσκευασία λεπτομέρειες: Εγκιβωτισμένος
Χρόνος παράδοσης: 1 - 2 εβδομάδες
Όροι πληρωμής: L/C T/T Western Union
Δυνατότητα προσφοράς: 18,000,000PCS/ανά ημέρα

Διάφορα Mosfet δύναμης ισοδύναμος χαρακτηρισμός ενισχυτών κρυσταλλολυχνιών 6N60 Ζ 6.2A 600V ραδιο

περιγραφή
Όνομα Προϊόντος: mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης εφαρμογή: Διαχείριση δύναμης
Χαρακτηριστικό γνώρισμα: Άριστο RDS (επάνω) Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνία: MOSFET δύναμης τρόπου αυξήσεων
Αριθμό μοντέλου: 6N60
Υψηλό φως:

mosfet καναλιών ν κρυσταλλολυχνία

,

κρυσταλλολυχνία υψηλής τάσης

6N60 N-CHANNEL Ζ 6.2A 600V MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ

 

ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ

Το UTC 6N60Z είναι MOSFET δύναμης υψηλής τάσης και έχει ως σκοπό να έχει τα καλύτερα χαρακτηριστικά, όπως ο γρήγορος χρόνος διακοπής, η χαμηλή δαπάνη πυλών, η χαμηλή -κρατική αντίσταση και τα υψηλά τραχιά χαρακτηριστικά χιονοστιβάδων. Αυτό το MOSFET δύναμης είναι συνήθως χρησιμοποιημένες εφαρμογές με υψηλή ταχύτητα αλλαγής στις παροχές ηλεκτρικού ρεύματος μετατροπής και τους προσαρμοστές.

 

 

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ

ΡDS(ΕΠΆΝΩ)< 1=""> GS = 10V, ΙΔ = 3.1A

* Γρήγορη ικανότητα μετατροπής

* Ενέργεια χιονοστιβάδων δοκιμασμένη

* Βελτιωμένη ικανότητα dv/dt, υψηλή τραχύτητα

 

Διάφορα Mosfet δύναμης ισοδύναμος χαρακτηρισμός ενισχυτών κρυσταλλολυχνιών 6N60 Ζ 6.2A 600V ραδιο 0

 

 

Διάφορα Mosfet δύναμης ισοδύναμος χαρακτηρισμός ενισχυτών κρυσταλλολυχνιών 6N60 Ζ 6.2A 600V ραδιο 1

ΔΙΑΤΑΓΗ ΤΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ

Διαταγή του αριθμού Συσκευασία Ανάθεση καρφιτσών Συσκευασία
Αμόλυβδος Αλόγονο ελεύθερο   1 2 3  
6n60zl-tf3-τ 6n60zg-tf3-τ -220F Γ Δ S Σωλήνας

 

 

Σημείωση: Ανάθεση καρφιτσών: Γ: Πύλη Δ: Αγωγός S: Πηγή

Διάφορα Mosfet δύναμης ισοδύναμος χαρακτηρισμός ενισχυτών κρυσταλλολυχνιών 6N60 Ζ 6.2A 600V ραδιο 2

Διάφορα Mosfet δύναμης ισοδύναμος χαρακτηρισμός ενισχυτών κρυσταλλολυχνιών 6N60 Ζ 6.2A 600V ραδιο 3

 

ΑΠΟΛΥΤΕΣ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ (ΤΓ = 25°С, εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)

 

ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ ΣΥΜΒΟΛΟ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ ΜΟΝΑΔΑ
Τάση αγωγός-πηγής VDSS 600 Β
Τάση πύλη-πηγής VGSS ±20 Β
Ρεύμα χιονοστιβάδων (σημείωση 2) IAR 6.2 Α
Συνεχές ρεύμα αγωγών ΙΔ 6.2 Α
Παλόμενο ρεύμα αγωγών (σημείωση 2) IDM 24.8 Α
Ενέργεια χιονοστιβάδων Ενιαίος παλόμενος (σημείωση 3) EAS 252 MJ
Επαναλαμβανόμενος (σημείωση 2) ΑΥΤΙ 13 MJ
Μέγιστη αποκατάσταση dv/dt διόδων (σημείωση 4) dv/dt 4.5 NS
Διασκεδασμός δύναμης ΠΔ 40 W
Θερμοκρασία συνδέσεων ΤJ +150 °C
Λειτουργούσα θερμοκρασία TOPR -55 ~ +150 °C
Θερμοκρασία αποθήκευσης TSTG -55 ~ +150 °C

Σημειώσεις: 1. Οι απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις είναι εκείνες οι τιμές πέρα από τις οποίες η συσκευή θα μπορούσε να βλαφθεί μόνιμα.

Οι απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις είναι εκτιμήσεις πίεσης μόνο και η λειτουργική λειτουργία συσκευών δεν είναι υπονοούμενη.

4. Επαναλαμβανόμενη εκτίμηση: Πλάτος σφυγμού που περιορίζεται από τη μέγιστη θερμοκρασία συνδέσεων.

5. Λ = 84mH, ΙΩΣ =1.4A, ΒDD = 50V, ΡΓ = 25 Ω που αρχίζουν το ΤJ = 25°C

6. ΙSD ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, ΒDD ≤BVDSS, αρχικό ΤJ = 25°C

ΘΕΡΜΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ

ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ ΣΥΜΒΟΛΟ ΕΚΤΙΜΗΣΗ ΜΟΝΑΔΑ
Σύνδεση σε περιβαλλοντικό θJA 62.5 °C/W
Σύνδεση στην περίπτωση θJC 3.2 °C/W

 

 

ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ (ΤJ = 25°С, εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)

 

 

ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ ΣΥΜΒΟΛΟ ΟΡΟΙ ΔΟΚΙΜΗΣ Λ. ΤΥΠΟΣ MAX ΜΟΝΑΔΑ
ΑΠΟ ΤΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
Τάση διακοπής αγωγός-πηγής BVDSS ΒGS = 0V, ΙΔ = 250μA 600     Β

 

Ρεύμα διαρροής αγωγός-πηγής

 

IDSS

ΒDS = 600V, ΒGS = 0V     10 μA
ΒDS = 480V, ΒGS = 0V, ΤJ=125°C     100 μA
Ρεύμα διαρροής πηγής πυλών Διαβιβάστε IGSS ΒGS = 20V, ΒDS = 0V     10 μA
Αντιστροφή ΒGS = -20V, ΒDS = 0V     -10 μA
Συντελεστής θερμοκρασίας τάσης διακοπής △BVDSS/△TJ ΙD=250μA, που παραπέμπεται σε 25°C   0,53   V/°C
ΣΤΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
Τάση κατώτατων ορίων πυλών VGS (ΘΌΡΙΟ) ΒDS = ΒGS, ΙΔ = 250ΜA 2.0   4.0 Β
Στατική -κρατική αντίσταση αγωγός-πηγής RDS (ΕΠΆΝΩ) ΒGS = 10V, ΙΔ = 3.1A   1.4 1.75
ΔΥΝΑΜΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
Ικανότητα εισαγωγής CISS ΒDS=25V, ΒGS=0V, f=1.0 MHZ   770 1000 pF
Ικανότητα παραγωγής COSS   95 120 pF
Αντίστροφη ικανότητα μεταφοράς CRSS   10 13 pF
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΜΕΤΑΤΡΟΠΗΣ
Διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης TD (ΕΠΆΝΩ)

ΒGS=0~10V, ΒDD=30V, ΙΔ =0.5A, ΡΓ =25Ω

(Σημείωση 1, 2)

  45 60 NS
Διεγερτικός χρόνος ανόδου τΡ   95 110 NS
Χρόνος καθυστέρησης διακοπών TD (ΜΑΚΡΙΆ)   185 200 NS
Χρόνος πτώσης διακοπών τΦ   110 125 NS
Συνολική δαπάνη πυλών QΓ ΒGS=10V, ΒDD=50V, ΙD=1.3A ΙG=100μA (σημείωση 1, 2)   32.8   nC
Δαπάνη πύλη-πηγής QGS   7.0   nC
Δαπάνη πύλη-αγωγών QGD   9.8   nC
ΑΓΩΓΌΣ-ΠΗΓΗ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΔΙΟΔΩΝ ΚΑΙ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ
Η δίοδος αγωγός-πηγής διαβιβάζει την τάση VSD ΒGS = 0 Β, ΙS = 6,2 Α     1.4 Β
Η μέγιστη συνεχής δίοδος αγωγός-πηγής διαβιβάζει το ρεύμα ΙS       6.2 Α

Μέγιστη παλόμενη δίοδος αγωγός-πηγής

Μπροστινό ρεύμα

ΙΣΜΌΣ       24.8 Α
Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης trr

ΒGS = 0 Β, ΙS = 6,2 Α,

DiF/dt = 100 A/μs (σημείωση 1)

  290   NS
Αντίστροφη δαπάνη αποκατάστασης QRR   2.35   μC


Ουσιαστικά ανεξάρτητος της λειτουργούσας θερμοκρασίας. Σημειώσεις: 1. Δοκιμή σφυγμού: Πλάτος σφυγμού ≤ 300µs, κύκλος καθήκοντος ≤ 2%.

 

Διάφορα Mosfet δύναμης ισοδύναμος χαρακτηρισμός ενισχυτών κρυσταλλολυχνιών 6N60 Ζ 6.2A 600V ραδιο 4Διάφορα Mosfet δύναμης ισοδύναμος χαρακτηρισμός ενισχυτών κρυσταλλολυχνιών 6N60 Ζ 6.2A 600V ραδιο 5

 

 

Στοιχεία επικοινωνίας
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: David

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Αφήστε ένα μήνυμα

We bellen je snel terug!