|
Λεπτομέρειες:
|
| Όνομα Προϊόντος: | mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης | εφαρμογή: | Διαχείριση δύναμης |
|---|---|---|---|
| Χαρακτηριστικό γνώρισμα: | Άριστο RDS (επάνω) | Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνία: | MOSFET δύναμης τρόπου αυξήσεων |
| Αριθμό μοντέλου: | 4N60 | ||
| Υψηλό φως: | mosfet καναλιών ν κρυσταλλολυχνία,κρυσταλλολυχνία υψηλής τάσης |
||
2N60-TC3 MOSFET δύναμης
2A, N-CHANNEL 600V MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ
Το UTC 4n60-ρ είναι MOSFET δύναμης υψηλής τάσης και έχει ως σκοπό να έχει τα καλύτερα χαρακτηριστικά, όπως ο γρήγορος χρόνος διακοπής, χαμηλή δαπάνη πυλών, χαμηλή -κρατική αντίσταση και να έχει χαρακτηριστικά τα υψηλά τραχιά χιονοστιβάδων. Αυτό το MOSFET δύναμης είναι συνήθως χρησιμοποιημένες εφαρμογές με υψηλή ταχύτητα αλλαγής στις παροχές ηλεκτρικού ρεύματος, τους ελέγχους μηχανών PWM, τους υψηλούς αποδοτικούς συνεχές ρεύμα στο συνεχές ρεύμα μετατροπείς και τα κυκλώματα γεφυρών.
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ
* ΡDS(ΕΠΆΝΩ)< 2=""> GS = 10 Β
* Γρήγορη ικανότητα μετατροπής
* Ενέργεια χιονοστιβάδων που διευκρινίζεται
* Βελτιωμένη ικανότητα dv/dt, υψηλή τραχύτητα
| Διαταγή του αριθμού | Συσκευασία | Ανάθεση καρφιτσών | Συσκευασία | |||
| Αμόλυβδος | Αλόγονο ελεύθερο | 1 | 2 | 3 | ||
| 4n60l-tf1-τ | 4n60g-tf1-τ | -220F1 | Γ | Δ | S | Σωλήνας |
Σημείωση: Ανάθεση καρφιτσών: Γ: Πύλη Δ: Αγωγός S: Πηγή
ΑΠΌΛΥΤΕΣ ΜΈΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΉΣΕΙΣ ν (ΤΓ = 25°С, εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)
| ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ | ΣΥΜΒΟΛΟ | ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ | ΜΟΝΑΔΑ | |
| Τάση αγωγός-πηγής | VDSS | 600 | Β | |
| Τάση πύλη-πηγής | VGSS | ±30 | Β | |
| Ρεύμα χιονοστιβάδων (σημείωση 2) | IAR | 4 | Α | |
| Ρεύμα αγωγών | Συνεχής | ΙΔ | 4.0 | Α |
| Παλόμενος (σημείωση 2) | IDM | 16 | Α | |
| Ενέργεια χιονοστιβάδων | Ενιαίος παλόμενος (σημείωση 3) | EAS | 160 | MJ |
| Μέγιστη αποκατάσταση dv/dt διόδων (σημείωση 4) | dv/dt | 4.5 | V/ns | |
| Διασκεδασμός δύναμης | ΠΔ | 36 | W | |
| Θερμοκρασία συνδέσεων | ΤJ | +150 | °С | |
| Λειτουργούσα θερμοκρασία | TOPR | -55 ~ +150 | °С | |
| Θερμοκρασία αποθήκευσης | TSTG | -55 ~ +150 | °С | |
Σημειώσεις: 1. Οι απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις είναι εκείνες οι τιμές πέρα από τις οποίες η συσκευή θα μπορούσε να βλαφθεί μόνιμα.
Οι απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις είναι εκτιμήσεις πίεσης μόνο και η λειτουργική λειτουργία συσκευών δεν είναι υπονοούμενη.
4. Επαναλαμβανόμενη εκτίμηση: Πλάτος σφυγμού που περιορίζεται από τη μέγιστη θερμοκρασία συνδέσεων.
5. Λ = 84mH, ΙΩΣ =1.4A, ΒDD = 50V, ΡΓ = 25 Ω που αρχίζουν το ΤJ = 25°C
6. ΙSD ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, ΒDD ≤BVDSS, αρχικό ΤJ = 25°C
| ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ | ΣΥΜΒΟΛΟ | ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ | ΜΟΝΑΔΑ |
| Σύνδεση σε περιβαλλοντικό | θJA | 62.5 | °С/W |
| Σύνδεση στην περίπτωση | θJc | 3.47 | °С/W |
ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ (ΤJ = 25°С, εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)
| ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ | ΣΥΜΒΟΛΟ | ΟΡΟΙ ΔΟΚΙΜΗΣ | Λ. | ΤΥΠΟΣ | MAX | ΜΟΝΑΔΑ | |
| ΑΠΟ ΤΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ | |||||||
| Τάση διακοπής αγωγός-πηγής | BVDSS | ΒGS=0V, ΙD=250μA | 600 | Β | |||
| Ρεύμα διαρροής αγωγός-πηγής | IDSS | ΒDS=600V, ΒGS=0V | 10 | μA | |||
| ΒDS=480V, ΤC=125°С | 100 | µA | |||||
| Ρεύμα διαρροής πύλη-πηγής | Διαβιβάστε | IGSS | ΒGS=30V, ΒDS=0V | 100 | NA | ||
| Αντιστροφή | ΒGS=-30V, ΒDS=0V | -100 | NA | ||||
| Συντελεστής θερμοκρασίας τάσης διακοπής | △BVDSS/△TJ | ΙD=250μA, που παραπέμπεται σε 25°C | 0,6 | V/°С | |||
| ΣΤΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ | |||||||
| Τάση κατώτατων ορίων πυλών | VGS (ΘΌΡΙΟ) | ΒDS=VGS, ΙD=250μA | 3.0 | 5.0 | Β | ||
| Στατική -κρατική αντίσταση αγωγός-πηγής | RDS (ΕΠΆΝΩ) | ΒGS=10 Β, ΙD=2.2A | 2.3 | 2.5 | Ω | ||
| ΔΥΝΑΜΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ | |||||||
| Ικανότητα εισαγωγής | CISS |
ΒDS =25V, ΒGS=0V, Φ =1MHZ |
440 | 670 | pF | ||
| Ικανότητα παραγωγής | COSS | 50 | 100 | pF | |||
| Αντίστροφη ικανότητα μεταφοράς | CRSS | 6.8 | 20 | pF | |||
| ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΜΕΤΑΤΡΟΠΗΣ | |||||||
| Διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης | TD (ΕΠΆΝΩ) |
ΒDD=30V, ΙD=0.5A, ΡG=25Ω (Σημείωση 1, 2) |
45 | 60 | NS | ||
| Διεγερτικός χρόνος ανόδου | τΡ | 35 | 55 | NS | |||
| Χρόνος καθυστέρησης διακοπών | TD (ΜΑΚΡΙΆ) | 65 | 85 | NS | |||
| Χρόνος πτώσης διακοπών | τΦ | 40 | 60 | NS | |||
| Συνολική δαπάνη πυλών | QΓ | ΒDS=50V, ΙD=1.3A, ΙD=100μA ΒGS=10V (σημείωση 1, 2) | 15 | 30 | nC | ||
| Δαπάνη πύλη-πηγής | QGS | 5 | nC | ||||
| Δαπάνη πύλη-αγωγών | QGD | 15 | nC | ||||
| ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ ΚΑΙ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΔΙΟΔΩΝ ΑΓΩΓΩΝ ΠΗΓΗΣ | |||||||
| Η δίοδος αγωγός-πηγής διαβιβάζει την τάση | VSD | ΒGS=0V, ΙS=4.4A | 1.4 | Β | |||
| Η μέγιστη συνεχής δίοδος αγωγός-πηγής διαβιβάζει το ρεύμα | ΙS | 4.4 | Α | ||||
|
Μέγιστη παλόμενη δίοδος αγωγός-πηγής Μπροστινό ρεύμα |
ΙΣΜΌΣ | 17.6 | Α | ||||
| Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης | trr |
ΒGS=0 Β, ΙS=4.4A, DiF/dt=100 A/μs (σημείωση 1) |
250 | NS | |||
| Αντίστροφη δαπάνη αποκατάστασης | QRR | 1.5 | μC | ||||
Σημειώσεις: 1. Δοκιμή σφυγμού: Πλάτος σφυγμού ≤ 300µs, κύκλος καθήκοντος ≤ 2%.
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: David
