Πιστοποίηση
Κίνα Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Πιστοποιήσεις
Κίνα Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Πιστοποιήσεις
Αναθεωρήσεις πελατών
συνεργασία με τη Hua Xuan Yang οφειλόμαστε κατά ένα μεγάλο μέρος στον επαγγελματισμό τους, η έντονη απάντησή τους στην προσαρμογή των προϊόντων που χρειαζόμαστε, η τακτοποίηση όλων των αναγκών και, προ πάντων, τους μας παροχή ποιοτικών υπηρεσιών.

—— -- Jason από τον Καναδά

Στο πλαίσιο της σύστασης του φίλου μου, ξέρουμε για τη Hua Xuan Yang, έναν ανώτερο εμπειρογνώμονα στον ημιαγωγό και τη βιομηχανία ηλεκτρονικών συστατικών, η οποία έχει επιτρέψει σε μας για να μειώσει τον πολύτιμο χρόνο μας και να μην ειναι απαραίτητο να αποτολμήσει τη δοκιμή άλλα εργοστάσια.

—— -- Виктор από τη Ρωσία

Είμαι Online Chat Now

2N60 2A, MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ 600vn-ΚΑΝΑΛΙΏΝ

2N60 2A, MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ 600vn-ΚΑΝΑΛΙΏΝ
2N60 2A, MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ 600vn-ΚΑΝΑΛΙΏΝ

Μεγάλες Εικόνας :  2N60 2A, MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ 600vn-ΚΑΝΑΛΙΏΝ

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Shenzhen Κίνας
Μάρκα: Hua Xuan Yang
Πιστοποίηση: RoHS、SGS
Αριθμό μοντέλου: 2N60
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: 1000-2000 PC
Τιμή: Negotiated
Συσκευασία λεπτομέρειες: Εγκιβωτισμένος
Χρόνος παράδοσης: 1 - 2 εβδομάδες
Όροι πληρωμής: L/C T/T Western Union
Δυνατότητα προσφοράς: 18,000,000PCS/ανά ημέρα

2N60 2A, MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ 600vn-ΚΑΝΑΛΙΏΝ

περιγραφή
Όνομα Προϊόντος: mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης εφαρμογή: Διαχείριση δύναμης
Χαρακτηριστικό γνώρισμα: Άριστο RDS (επάνω) Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνία: MOSFET δύναμης τρόπου αυξήσεων
VDS: -100V Αριθμό μοντέλου: 2N60
Υψηλό φως:

mosfet καναλιών ν κρυσταλλολυχνία

,

κρυσταλλολυχνία υψηλής τάσης

2N60-TC3 MOSFET δύναμης

2A, N-CHANNEL 600V MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ

 

ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ

Το UTC 2N60-TC3 είναι MOSFET δύναμης υψηλής τάσης και έχει ως σκοπό να έχει τα καλύτερα χαρακτηριστικά, όπως ο γρήγορος χρόνος διακοπής, χαμηλή δαπάνη πυλών, χαμηλή -κρατική αντίσταση και να έχει χαρακτηριστικά τα υψηλά τραχιά χιονοστιβάδων. Αυτό το MOSFET δύναμης είναι συνήθως χρησιμοποιημένες εφαρμογές με υψηλή ταχύτητα αλλαγής στις παροχές ηλεκτρικού ρεύματος, τους ελέγχους μηχανών PWM, τους υψηλούς αποδοτικούς συνεχές ρεύμα στο συνεχές ρεύμα μετατροπείς και τα κυκλώματα γεφυρών.

 

2N60 2A, MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ 600vn-ΚΑΝΑΛΙΏΝ 0

 

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ

RDS (ΕΠΆΝΩ) < 7="">

Υψηλή ταχύτητα μετατροπής

 

2N60 2A, MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ 600vn-ΚΑΝΑΛΙΏΝ 1

ΔΙΑΤΑΓΗ ΤΩΝ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ

 

Διαταγή του αριθμού Συσκευασία Ανάθεση καρφιτσών Συσκευασία
Αμόλυβδος Αλόγονο ελεύθερο 1 2 3
2n60l-tf1-τ 2n60g-tf1-τ -220F1 Γ Δ S Σωλήνας
2n60l-tf3-τ 2n60g-tf3-τ -220F Γ Δ S Σωλήνας
2n60l-tm3-τ 2n60g-tm3-τ -251 Γ Δ S Σωλήνας

2N60 2A, MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ 600vn-ΚΑΝΑΛΙΏΝ 2


Σημείωση: Ανάθεση καρφιτσών: Γ: Πύλη Δ: Αγωγός S: Πηγή

 

 

 

Qw-r205-461.A

 

2N60 2A, MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ 600vn-ΚΑΝΑΛΙΏΝ 3

ΑΠΌΛΥΤΕΣ ΜΈΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΉΣΕΙΣ ν (ΤΓ = 25°С, εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)

 

ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ ΣΥΜΒΟΛΟ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ ΜΟΝΑΔΑ
Τάση αγωγός-πηγής VDSS 600 Β
Τάση πύλη-πηγής VGSS ± 30 Β
Ρεύμα αγωγών Συνεχής ΙΔ 2 Α
Παλόμενος (σημείωση 2) IDM 4 Α
Ενέργεια χιονοστιβάδων Ενιαίος παλόμενος (σημείωση 3) EAS 84 MJ
Μέγιστη αποκατάσταση dv/dt διόδων (σημείωση 4) dv/dt 4.5 V/ns
Διασκεδασμός δύναμης -220f/to-220F1 ΠΔ 23 W
-251 44 W
Θερμοκρασία συνδέσεων ΤJ +150 °C
Θερμοκρασία αποθήκευσης TSTG -55 ~ +150 °C

Σημειώσεις: 1. Οι απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις είναι εκείνες οι τιμές πέρα από τις οποίες η συσκευή θα μπορούσε να βλαφθεί μόνιμα.

Οι απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις είναι εκτιμήσεις πίεσης μόνο και η λειτουργική λειτουργία συσκευών δεν είναι υπονοούμενη.

4. Επαναλαμβανόμενη εκτίμηση: Πλάτος σφυγμού που περιορίζεται από τη μέγιστη θερμοκρασία συνδέσεων.

5. Λ = 84mH, ΙΩΣ =1.4A, ΒDD = 50V, ΡΓ = 25 Ω που αρχίζουν το ΤJ = 25°C

6. ΙSD ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, ΒDD ≤BVDSS, αρχικό ΤJ = 25°C

ΘΕΡΜΙΚΆ ΣΤΟΙΧΕΊΑ ν

 

ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ ΣΥΜΒΟΛΟ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ ΜΟΝΑΔΑ
Σύνδεση σε περιβαλλοντικό -220f/to-220F1 θJA 62.5 °C/W
-251 100 °C/W
Σύνδεση στην περίπτωση -220f/to-220F1 θJC 5.5 °C/W
-251 2.87 °C/W

 

ΗΛΕΚΤΡΙΚΆ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΆ ν (ΤJ = 25°С, εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)

 

ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ ΣΥΜΒΟΛΟ ΟΡΟΙ ΔΟΚΙΜΗΣ Λ. ΤΥΠΟΣ MAX ΜΟΝΑΔΑ
ΑΠΟ ΤΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
Τάση διακοπής αγωγός-πηγής BVDSS ΒGS=0V, ΙD= 250ΜA 600     Β
Ρεύμα διαρροής αγωγός-πηγής IDSS ΒDS=600V, ΒGS=0V     1 µA
Ρεύμα διαρροής πύλη-πηγής Διαβιβάστε IGSS ΒGS=30V, ΒDS=0V     100 NA
Αντιστροφή ΒGS=-30V, ΒDS=0V     -100 NA
ΣΤΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
Τάση κατώτατων ορίων πυλών VGS (ΘΌΡΙΟ) ΒDS=VGS, ΙD=250μA 2.0   4.0 Β
Στατική -κρατική αντίσταση αγωγός-πηγής RDS (ΕΠΆΝΩ) ΒGS=10V, ΙD=1.0A     7.0
ΔΥΝΑΜΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
Ικανότητα εισαγωγής CISS

 

ΒGS=0V, ΒDS=25V, f=1.0 MHZ

  190   pF
Ικανότητα παραγωγής COSS   28   pF
Αντίστροφη ικανότητα μεταφοράς CRSS   2   pF
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΜΕΤΑΤΡΟΠΗΣ
Συνολική δαπάνη πυλών (σημείωση 1) QΓ ΒDS=200V, ΒGS=10V, ΙD=2.0A ΙG=1mA (σημείωση 1, 2)   7   nC
Δαπάνη Gateource QGS   2.9   nC
Δαπάνη πύλη-αγωγών QGD   1.9   nC
Διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης (σημείωση 1) TD (ΕΠΆΝΩ)

 

ΒDS=300V, ΒGS=10V, ΙD=2.0A, ΡG=25Ω (σημείωση 1, 2)

  4   NS
Χρόνος ανόδου τΡ   16   NS
Χρόνος καθυστέρησης διακοπών TD (ΜΑΚΡΙΆ)   16   NS
Πτώση-χρόνος τΦ   19   NS
ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ ΚΑΙ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΔΙΟΔΩΝ ΑΓΩΓΩΝ ΠΗΓΗΣ
Μέγιστο συνεχές ρεύμα σώμα-διόδων ΙS       2 Α
Η μέγιστη σώμα-δίοδος παλλόταν το ρεύμα ΙΣΜΌΣ       8 Α
Μπροστινή τάση διόδων αγωγός-πηγής (σημείωση 1) VSD ΒGS=0V, ΙS=2.0A     1.4 Β
Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης (σημείωση 1) trr

ΒGS=0V, ΙS=2.0A,

DiF/dt=100A/µs (Note1)

  232   NS
Αντίστροφη δαπάνη αποκατάστασης Qrr   1.1   µC

Σημειώσεις: 1. Δοκιμή σφυγμού: Πλάτος σφυγμού ≤ 300µs, κύκλος καθήκοντος ≤ 2%.

  • Ουσιαστικά ανεξάρτητος της λειτουργούσας θερμοκρασίας.

2N60 2A, MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ 600vn-ΚΑΝΑΛΙΏΝ 4

2N60 2A, MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ 600vn-ΚΑΝΑΛΙΏΝ 5

2N60 2A, MOSFET ΔΎΝΑΜΗΣ 600vn-ΚΑΝΑΛΙΏΝ 6

 

Στοιχεία επικοινωνίας
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: David

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Αφήστε ένα μήνυμα

We bellen je snel terug!