Αρχική Σελίδα Προϊόντα Δύο καναλιών Mosfet

Γρήγορο δύο καναλιών Mosfet Rs1a αποκατάστασης μέσω της επιφάνειας Rs1m τοποθετεί

Name: Γρήγορο δύο καναλιών Mosfet Rs1a αποκατάστασης μέσω της επιφάνειας Rs1m τοποθετεί
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: RS1A

Όλα τα Προϊόντα

mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης
(118)

Κρυσταλλολυχνίες δύναμης ακρών
(30)

Κρυσταλλολυχνία δύναμης πυριτίου
(19)

Διπλή δίοδος μετατροπής
(15)

Κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων MOS
(29)

Δύο καναλιών Mosfet
(10)

γρήγορη δίοδος διορθωτών αποκατάστασης
(6)

δίοδος δύναμης zener
(6)

schottky διορθωτής γεφυρών
(10)

δίοδος διορθωτών υψηλής τάσης
(15)

Τρίοδος ημιαγωγών
(9)

Ολοκληρωμένο κύκλωμα σταθεροποιητών τάσης
(14)

Πιστοποίηση

Κίνα Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Πιστοποιήσεις

Αναθεωρήσεις πελατών

συνεργασία με τη Hua Xuan Yang οφειλόμαστε κατά ένα μεγάλο μέρος στον επαγγελματισμό τους, η έντονη απάντησή τους στην προσαρμογή των προϊόντων που χρειαζόμαστε, η τακτοποίηση όλων των αναγκών και, προ πάντων, τους μας παροχή ποιοτικών υπηρεσιών.

—— -- Jason από τον Καναδά

Στο πλαίσιο της σύστασης του φίλου μου, ξέρουμε για τη Hua Xuan Yang, έναν ανώτερο εμπειρογνώμονα στον ημιαγωγό και τη βιομηχανία ηλεκτρονικών συστατικών, η οποία έχει επιτρέψει σε μας για να μειώσει τον πολύτιμο χρόνο μας και να μην ειναι απαραίτητο να αποτολμήσει τη δοκιμή άλλα εργοστάσια.

—— -- Виктор από τη Ρωσία

Είμαι Online Chat Now

Γρήγορο δύο καναλιών Mosfet Rs1a αποκατάστασης μέσω της επιφάνειας Rs1m τοποθετεί

Μεγάλες Εικόνας : Γρήγορο δύο καναλιών Mosfet Rs1a αποκατάστασης μέσω της επιφάνειας Rs1m τοποθετεί

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής:	Shenzhen Κίνας
Μάρκα:	Hua Xuan Yang
Πιστοποίηση:	RoHS、SGS
Αριθμό μοντέλου:	RS1A

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min:	1000-2000 PC
Τιμή:	Negotiated
Συσκευασία λεπτομέρειες:	Εγκιβωτισμένος
Χρόνος παράδοσης:	1 - 2 εβδομάδες
Όροι πληρωμής:	L/C T/T Western Union
Δυνατότητα προσφοράς:	18,000,000PCS/ανά ημέρα

Επικοινωνία

Γρήγορο δύο καναλιών Mosfet Rs1a αποκατάστασης μέσω της επιφάνειας Rs1m τοποθετεί

περιγραφή

Τύπος:	γρήγορη δίοδος διορθωτών αποκατάστασης	Χαρακτηριστικό γνώρισμα:	Για τοποθετημένες τις επιφάνεια εφαρμογές
Πολικότητα:	Η ζώνη χρώματος δείχνει το τέλος καθόδων	Βάρος:	0,002 ουγγιά, 0,07 γραμμάρια
Ταυτότητα προϊόντων:	FS1A ΜΕΣΩ FS1M	Υπόθεση:	Φορμαρισμένο -214AC πλαστικό σώμα JEDEC πέρα από το παθητικοποιημένο τσιπ
Υψηλό φως:	mosfet τρόπου αυξήσεων , διπλό mosfet πυλών

RS1A ΜΕΣΩ ΤΗΣ ΕΠΙΦΆΝΕΙΑΣ RS1M ΤΟΠΟΘΕΤΉΣΤΕ ΤΟ ΓΡΉΓΟΡΟ ΔΙΟΡΘΩΤΉ ΑΠΟΚΑΤΆΣΤΑΣΗΣ

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟ ΓΝΏΡΙΣΜΑ

Ενσωματωμένη ανακούφιση πίεσης, ιδανική για την αυτοματοποιημένη τοποθέτηση
Υψηλή μπροστινή ικανότητα ρευμάτων κύματος
Η υψηλής θερμοκρασίας συγκόλληση εγγυήθηκε:
250 δευτερόλεπτα C/10 στα τερματικά
Παθητικοποιημένη γυαλί σύνδεση τσιπ

Η πλαστική συσκευασία φέρνει το εργαστήριο ασφαλιστών

Ταξινόμηση 94V-0 ευφλέκτου

Για τοποθετημένες τις επιφάνεια εφαρμογές

Χαμηλή αντίστροφη διαρροή

Περίπτωση: Φορμαρισμένο -214AC πλαστικό σώμα JEDEC πέρα από το παθητικοποιημένο τσιπ

Τερματικά: Ύλη συγκολλήσεως που καλύπτεται, solderable ανά mil-STD-750,

Μέθοδος 2026

Πολικότητα: Η ζώνη χρώματος δείχνει το τέλος καθόδων

Τοποθετώντας θέση: Οποιοιδήποτε

Βάρος: 0,002 ουγγιά, 0,07 γραμμάρια

RS1A ΜΕΣΩ ΤΗΣ ΕΠΙΦΆΝΕΙΑΣ RS1M ΤΟΠΟΘΕΤΉΣΤΕ ΤΟ ΓΡΉΓΟΡΟ ΔΙΟΡΘΩΤΉ ΑΠΟΚΑΤΆΣΤΑΣΗΣ

ΜΗΧΑΝΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ

Περίπτωση: Φορμαρισμένο -201AD πλαστικό σώμα JEDEC

Τερματικά: Καλυμμένοι αξονικοί μόλυβδοι, solderable ανά mil-STD-750,

Μέθοδος 2026

Πολικότητα: Η ζώνη χρώματος δείχνει το τέλος καθόδων

Τοποθετώντας θέση: Οποιοιδήποτε

Βάρος: 0,002 ουγγιά, 0,07 γραμμάρια

ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ ΚΑΙ ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ

Εκτιμήσεις στην περιβαλλοντική θερμοκρασία 25 Γ εκτός αν ορίζεται διαφορετικά. Ημίκυμα 60Hz ενιαίας φάσης, ανθεκτικό ή επαγωγικό φορτίο, για το χωρητικό τρέχον derate φορτίων από 20%.

Σημείωση:

1. Αντίστροφος όρος IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A αποκατάστασης

2. Μετρημένος σε 1MHz και την εφαρμοσμένη αντίστροφη τάση του ΣΥΝΕΧΟΎΣ ΡΕΎΜΑΤΟΣ 4.0V.

3. Θερμική αντίσταση από τη σύνδεση σε περιβαλλοντικό» στο μήκος μολύβδου 0,375 (9.5mm), P.C.B mounte

ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ ΚΑΙ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΚΑΜΠΥΛΕΣ 1N4942 ΜΈΣΩ 1N4948

ετικέτα:

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: David

Άλλα προϊόντα

RS2A ΜΕΣΩ διπλό Mosfet δύναμης RS2M, Mosfet 0,002 ουγγιά 0,002 ουγγιά 0,07 υψηλής τάσης γραμμάρια Grams0.07

Τύπος: γρήγορη δίοδος διορθωτών αποκατάστασης
Χαρακτηριστικό γνώρισμα: Ταξινόμηση 94V-0 ευφλέκτου
Τοποθετώντας θέση: οποιοδήποτε
Βάρος: 0,002 ουγγιά, 0,07 γραμμάρια

RS3A ΜΕΣΩ των δύο καναλιών Mosfet 250 C/10 RS3M δευτερολέπτων στα τερματικά

Τύπος: γρήγορη δίοδος διορθωτών αποκατάστασης
Χαρακτηριστικό γνώρισμα: 250 δευτερόλεπτα C/10 στα τερματικά
Τερματικά: Καλυμμένοι αξονικοί μόλυβδοι, solderable ανά mil-STD-750,
Βάρος: 0.003ounce, 0.093grams

FR301 ΜΕΣΩ Mosfet τρόπου αυξήσεων FR307, Mosfet δύναμης υψηλής τάσης

Τύπος: ΜΕΤΑΤΡΟΠΗ DIODESOD
Χαρακτηριστικό γνώρισμα: Χαμηλή αντίστροφη διαρροή
Τερματικά: Καλυμμένοι αξονικοί μόλυβδοι, solderable ανά mil-STD-750,
Βάρος: 0,04 ουγγιές, 1,10 γραμμάρια

FR301 ΜΕΣΩ του δύο καναλιών Mosfet FR307 μπροστινού ρεύματος - 3,0 αμπέρ

Τύπος: ΜΕΤΑΤΡΟΠΗ DIODESOD
Χαρακτηριστικό γνώρισμα: Χαμηλή αντίστροφη διαρροή
Τερματικά: Καλυμμένοι αξονικοί μόλυβδοι, solderable ανά mil-STD-750,
Βάρος: 0,04 ουγγιές, 1,10 γραμμάρια

FR601 ΜΕΣΩ Mosfet υψηλής συχνότητας FR607 του μπροστινού ρεύματος - 6,0 αμπέρ

Τύπος: ΜΕΤΑΤΡΟΠΗ DIODESOD
Τοποθετώντας θέση: Υψηλή μπροστινή ικανότητα ρευμάτων κύματος
Βάρος: 0.072ounce, 2.05grams
Πολικότητα: Η ζώνη χρώματος δείχνει το τέλος καθόδων

Γρήγορο δύο καναλιών Mosfet Rs1a αποκατάστασης μέσω της επιφάνειας Rs1m τοποθετεί

mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης

Κρυσταλλολυχνίες δύναμης ακρών

Κρυσταλλολυχνία δύναμης πυριτίου

Διπλή δίοδος μετατροπής

Κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων MOS

Δύο καναλιών Mosfet

γρήγορη δίοδος διορθωτών αποκατάστασης

δίοδος δύναμης zener

schottky διορθωτής γεφυρών

δίοδος διορθωτών υψηλής τάσης

Τρίοδος ημιαγωγών

Ολοκληρωμένο κύκλωμα σταθεροποιητών τάσης

Γρήγορο δύο καναλιών Mosfet Rs1a αποκατάστασης μέσω της επιφάνειας Rs1m τοποθετεί

Γρήγορο δύο καναλιών Mosfet Rs1a αποκατάστασης μέσω της επιφάνειας Rs1m τοποθετεί

mosfet τρόπου αυξήσεων

διπλό mosfet πυλών

mosfet τρόπου αυξήσεων,

mosfet υψηλής ταχύτητας,

διπλό mosfet πυλών

RS2A ΜΕΣΩ διπλό Mosfet δύναμης RS2M, Mosfet 0,002 ουγγιά 0,002 ουγγιά 0,07 υψηλής τάσης γραμμάρια Grams0.07

RS3A ΜΕΣΩ των δύο καναλιών Mosfet 250 C/10 RS3M δευτερολέπτων στα τερματικά

FR301 ΜΕΣΩ Mosfet τρόπου αυξήσεων FR307, Mosfet δύναμης υψηλής τάσης

FR301 ΜΕΣΩ του δύο καναλιών Mosfet FR307 μπροστινού ρεύματος - 3,0 αμπέρ

FR601 ΜΕΣΩ Mosfet υψηλής συχνότητας FR607 του μπροστινού ρεύματος - 6,0 αμπέρ

mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης

HXY4616 κρυσταλλολυχνία επιπέδων λογικής, συμπληρωματικό MOSFET κρυσταλλολυχνιών 30V υψηλής τάσης

HXY4616 Mosfet υψηλή τάση VDS 40V VGS ±20v κρυσταλλολυχνιών δύναμης ±20v VGS

Mosfet 20G04S 40V MOSFET τρόπου αυξήσεων καναλιών κρυσταλλολυχνιών δύναμης N+P