Λεπτομέρειες:
|
Όνομα Προϊόντος: | mosfet κρυσταλλολυχνία δύναμης | Τύπος: | Mosfet κρυσταλλολυχνία |
---|---|---|---|
Αριθμό μοντέλου: | 10G03S | Θερμοκρασία συνδέσεων:: | 150℃ |
εφαρμογή: | Εφαρμογή μετατροπής δύναμης | Χαρακτηριστικά: | Το αμόλυβδο προϊόν αποκτιέται |
Υψηλό φως: | mosfet καναλιών ν κρυσταλλολυχνία,κρυσταλλολυχνία υψηλής τάσης |
MOSFET τρόπου αυξήσεων n+P-καναλιών 10G03S 30V
Περιγραφή
Η προηγμένη χρήσεις τάφρος 10G03S
η τεχνολογία για να παρέχουν το άριστο ΡDS(ΕΠΆΝΩ) και η χαμηλή πύλη χρεώνουν.
Συμπληρωματικά MOSFETs μπορούν να χρησιμοποιηθούν για να διαμορφώσουν το α
το επίπεδο μετατόπισε τον υψηλό δευτερεύοντα διακόπτη, και για έναν πλήθο άλλος
εφαρμογές
Γενικά χαρακτηριστικά γνωρίσματα
N-Channel
ΒDS = 30V, ΙΔ =10A
ΡDS(ΕΠΆΝΩ)< 16m=""> GS=10V
P-Channel
ΒDS = -30V, ΙΔ = -9A
ΡDS(ΕΠΆΝΩ)< 37m=""> GS=-10V
Υψηλή δύναμη και ρεύμα που δίνουν την ικανότητα
Το αμόλυβδο προϊόν αποκτιέται
Η επιφάνεια τοποθετεί τη συσκευασία
Εφαρμογή
● Εφαρμογή μετατροπής δύναμης
● Σκληρά μεταστρεφόμενα και κυκλώματα υψηλής συχνότητας
● Uninterruptible παροχή ηλεκτρικού ρεύματος
Συσκευασία που χαρακτηρίζει και που διατάζει τις πληροφορίες
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: David